BSZ100N03MSGATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
10A Ta 40A Tc
4.5V 10V
1
2.1W Ta 30W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-N5
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.1W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.1m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1700pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 10V
上升时间
2.8ns
Vgs（最大值）
±20V
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大双电源电压
30V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
BSZ100N03MSGATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
40 A
10A (Ta), 40A (Tc)
2 V
16 V
2.1 W
2.1W (Ta), 30W (Tc)
Surface Mount
8-PowerTDFN
35 A
15A (Ta), 35A (Tc)
1.8 V
20 V
3.1 W
3.1W (Ta)
Surface Mount
8-PowerVDFN
16 A
16A (Ta), 42A (Tc)
1.8 V
20 V
2.8 W
2.8W (Ta)
Surface Mount
8-PowerTDFN
30 A
30A, 60A
1.5 V
12 V
2.5 W
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
75 A
10A (Ta), 32A (Tc)
1.5 V
20 V
1.87 W
1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
BSZ100N03MSGATMA1 PDF数据手册
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