工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

49A Tc

10V

1

94W Tc

47 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

45W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17.5m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1470pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 10V

上升时间

69ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

49A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

55V

高度

16.51mm

长度

10.66mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant