规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
17
晶体管元件材料
SILICON
50 V
BSM25GD100D
Infineon
FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
30 ns
150 °C
40 ns
RECTANGULAR
6
Transferred
SIEMENS A G
5.27
容差
0.25 %
温度系数
25 ppm/°C
电阻
49.3 Ω
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
子类别
Insulated Gate BIP Transistors
额定功率
100 mW
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-D17
资历状况
Not Qualified
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
300 W
集电极电流-最大值(IC)
25 A
集电极-发射器电压-最大值
1000 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.2 V
环境耗散-最大值
300 W
高度
550 µm