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BSM15GD100D

型号:

BSM15GD100D

品牌:

Infineon

封装:

Axial

描述:

Infineon Miscellaneous

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    --

  • 终端数量

    17

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Infineon

  • BSM15GD100D

  • FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17

  • FLANGE MOUNT

  • PLASTIC/EPOXY

  • 15 ns

  • 150 °C

  • 20 ns

  • RECTANGULAR

  • 6

  • Transferred

  • SIEMENS A G

  • 5.28

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    MBA/SMA 0204 - Professional

  • 包装

    Tape & Box (TB)

  • 尺寸/尺寸

    0.063 Dia x 0.142 L (1.60mm x 3.60mm)

  • 容差

    ±1%

  • 零件状态

    Active

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 电阻

    3.32 Ohms

  • 组成

    Thin Film

  • 功率(瓦特)

    0.4W

  • 子类别

    Insulated Gate BIP Transistors

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    SOLDER LUG

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PUFM-D17

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 失败率

    --

  • 配置

    BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    POWER CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    125 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    15 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1000 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    3.3 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.2 V

  • 环境耗散-最大值

    150 W

  • 特征

    --

  • 座位高度(最大)

    --

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  • 数据表 :