![BSM15GD100D](https://res.utmel.com/Images/category/Hardware, Fasteners, Accessories.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
--
终端数量
17
晶体管元件材料
SILICON
Infineon
BSM15GD100D
FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
15 ns
150 °C
20 ns
RECTANGULAR
6
Transferred
SIEMENS A G
5.28
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
MBA/SMA 0204 - Professional
包装
Tape & Box (TB)
尺寸/尺寸
0.063 Dia x 0.142 L (1.60mm x 3.60mm)
容差
±1%
零件状态
Active
终止次数
2
温度系数
±50ppm/°C
电阻
3.32 Ohms
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.4W
子类别
Insulated Gate BIP Transistors
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-D17
资历状况
Not Qualified
失败率
--
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
125 W
集电极电流-最大值(IC)
15 A
集电极-发射器电压-最大值
1000 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.3 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.2 V
环境耗散-最大值
150 W
特征
--
座位高度(最大)
--