表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Obsolete

HARRIS SEMICONDUCTOR

5.5 A

1

150 °C

METAL

ROUND

CYLINDRICAL

90 ns

80 ns

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

NOT SPECIFIED

附加功能

RADIATION HARDENED

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

参考标准

MILITARY STANDARD (USA)

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

150 pF

环境耗散-最大值

25 W