IRF627
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 275V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
No
Obsolete
HARRIS SEMICONDUCTOR
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
3.3 A
1
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
52 ns
53 ns
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
1.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
13 A
DS 击穿电压-最小值
275 V
雪崩能量等级（Eas）
120 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
环境耗散-最大值
40 W