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MBR120200CT

型号:

MBR120200CT

封装:

Twin Tower

描述:

DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount

  • 安装类型

    Chassis Mount

  • 包装/外壳

    Twin Tower

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 150°C

  • 包装

    Bulk

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 应用

    POWER

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X2

  • 元素配置

    Common Cathode

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Schottky

  • 反向泄漏电流@ Vr

    1mA @ 200V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    920mV @ 60A

  • 工作温度 - 结点

    -55°C~150°C

  • 最大反向电压(DC)

    200V

  • 平均整流电流

    60A

  • 相位的数量

    1

  • 最大非代表Pk前进电流

    800A

  • 二极管配置

    1 Pair Common Cathode

  • 反向电流-最大值

    1000μA

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

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