
MBR120200CT
Twin Tower
DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Chassis Mount
安装类型
Chassis Mount
包装/外壳
Twin Tower
二极管元件材料
SILICON
2
150°C
包装
Bulk
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
应用
POWER
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-PUFM-X2
元素配置
Common Cathode
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
1mA @ 200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
920mV @ 60A
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大反向电压(DC)
200V
平均整流电流
60A
相位的数量
1
最大非代表Pk前进电流
800A
二极管配置
1 Pair Common Cathode
反向电流-最大值
1000μA
RoHS状态
RoHS Compliant
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