2SK3533-01
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Compliant
45 ns
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
2SK3533-01
RECTANGULAR
Fuji Electric Co Ltd
1
Obsolete
FUJI ELECTRIC CO LTD
5.81
TO-220AB
7 A
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
225 W
接通延迟时间
22 ns
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏极-源极导通最大电阻
2 Ω
漏源击穿电压
900 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28 A
DS 击穿电压-最小值
900 V
雪崩能量等级（Eas）
269.5 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
2 Ω
宽度
4.4958 mm
高度
15.0114 mm
长度
9.9822 mm