2SK3871-01MR
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 230V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
2SK3871-01MR
RECTANGULAR
Fuji Electric Co Ltd
1
Obsolete
FUJI ELECTRIC CO LTD
5.84
TO-220AB
40 A
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.076 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
160 A
DS 击穿电压-最小值
230 V
雪崩能量等级（Eas）
633.1 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR