![MR4A16BYS35R](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16400j7tl-6908.jpg)
MR4A16BYS35R
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
54
Non-Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
ECCN 代码
EAR99
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
54
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
16Mb 1M x 16
电源电流
180mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
RAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
1MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
35ns
密度
16 Mb
待机电流-最大值
0.014A
访问时间(最大)
35 ns
字长
16b
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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MR4A16BYS35R
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
54
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44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
16 Mb
3.3 V
3 (168 Hours)
3.3 V
3V ~ 3.6V
MR4A16BYS35R PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :