![CY7C1069DV33-10ZSXI](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-cy7c1061g3010zsxi-8124.jpg)
CY7C1069DV33-10ZSXI
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
SRAM, 16MB, PARALLEL, 10NS, 54TSOP
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
54
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
1996
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
CY7C1069
引脚数量
54
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
16Mb 2M x 8
端口的数量
1
电源电流
175mA
最大电源电流
175mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
21b
密度
16 Mb
待机电流-最大值
0.025A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
待机电压-最小值
2V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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CY7C1069DV33-10ZSXI
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
54
Volatile
16 Mb
21 b
3.3 V
10ns
3.6 V
-
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
54
Volatile
16 Mb
20 b
3.3 V
10ns
3.6 V
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
16 Mb
21 b
3 V
10ns
3.6 V
-
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
54
Volatile
16 Mb
21 b
3.3 V
10ns
3.6 V
-
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
48
Volatile
16 Mb
21 b
3 V
10ns
3.6 V
CY7C1069DV33-10ZSXI PDF数据手册
- PCN 报废/ EOL :
- PCN封装 :