![EMD3D256M16G2-150CBS1](https://res.utmel.com/Images/category/Integrated Circuits (ICs).png)
EMD3D256M16G2-150CBS1
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NVRAM MRAM Parallel 256Mbit 1.5V 96-Pin BGA Tray (Alt: EMD3D256M16G2-150CBS1)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
96
TFBGA,
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
16000000
PLASTIC/EPOXY
85 °C
Yes
EMD3D256M16G2-150CBS1
16777216 words
1.5 V
TFBGA
RECTANGULAR
Everspin Technologies
Active
EVERSPIN TECHNOLOGIES INC
5.6
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B96
电源电压-最大值(Vsup)
1.575 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.425 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
16MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
268435456 bit
内存IC类型
MEMORY CIRCUIT
宽度
10 mm
长度
13 mm