HBDM60V600W-7
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Bipolar Transistors - BJT 200mW Half H-Bridge
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
19 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
60V
500mA 600mA
2
50
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
200mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
HBDM60V600
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V / 100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
65V 60V
转换频率
100MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
500mA
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CasePolarityCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentTransition FrequencyCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power Dissipation
-
HBDM60V600W-7
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NPN, PNP
60 V
65V, 60V
600 mA
100 MHz
-500 mV
50
200 mW
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PNP
60 V
-
600 mA
200 MHz
-1.6 V
100
200 mW
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NPN, PNP
50 V
-
100 mA
250 MHz
-
56
150 mW
-
Surface Mount
SOT-363
PNP
60 V
-
600 mA
200 MHz
-400 mV
-
200 mW
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NPN, PNP
60 V
40V, 60V
600 mA
-
1 V
100
200 mW
HBDM60V600W-7 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :