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DMMT5551S-7-F

型号:

DMMT5551S-7-F

封装:

SOT-23-6

数据表:

DMMT5551(S)

描述:

Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    19 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 质量

    29.993795mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 160V

  • 2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 频率

    300MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    DMMT5551

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    300mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    300MHz

  • 晶体管类型

    2 NPN (Dual) Matched Pair

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    160V

  • 最大集电极电流

    200mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 10mA 5V

  • 最大集极截止电流

    50nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    200mV @ 5mA, 50mA

  • 转换频率

    100MHz

  • 最大击穿电压

    160V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    180V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 高度

    1.1mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.6mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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