你好！请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

购物车
所有分类 首页 品牌专区 询价 关于我们
首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 / DJT4031N-13 /
DJT4031N-13

DJT4031N-13

型号:

DJT4031N-13

品牌:

Diodes Incorporated

封装:

TO-261-4, TO-261AA

数据表:

DJT4031N

描述:

DIODES INC. DJT4031N-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 105 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 引脚数

    3

  • 质量

    7.994566mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 40V

  • 1

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    General Purpose

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    1.2W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 频率

    105MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    DJT4031

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    2W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 功率 - 最大

    1.2W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    105MHz

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    40V

  • 最大集电极电流

    3A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    200 @ 1A 1V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 300mA, 3A

  • 转换频率

    105MHz

  • 最大击穿电压

    40V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    40V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 高度

    1.6mm

  • 长度

    6.5mm

  • 宽度

    3.5mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

0 类似产品

相关型号

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    Transition Frequency
    Collector Emitter Saturation Voltage
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
  • DJT4031N-13

    DJT4031N-13

    Diodes Incorporated

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    40 V

    3 A

    105 MHz

    300 mV

    1.2 W

    2 W

  • PZT3904
    PZT3904

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    40 V

    200 mA

    300 MHz

    300 mV

    1 W

    1 W

  • PZTA14
    PZTA14

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    50 V

    3 A

    100 MHz

    290 mV

    1 W

    -

  • BCP54
    BCP54

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    45 V

    1.5 A

    125 MHz

    500 mV

    1.5 W

    1.5 W

  • DNLS350E-13
    DNLS350E-13

    Diodes Incorporated

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    30 V

    1.2 A

    125 MHz

    1.5 V

    1 W

    1 W

DJT4031N-13 PDF数据手册