![BC857C-7-F](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-dlpt057f-6342.jpg)
BC857C-7-F
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
19 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
45V
1
420
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-45V
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-100mA
频率
200MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC857C
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
350mW
功率 - 最大
300mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
200MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1mm
长度
3.05mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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BC857C-7-F
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100 mA
150 MHz
-250 mV
110
310 mW
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
45 V
100 mA
150 MHz
-
120
350 mW
BC857C-7-F PDF数据手册
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