规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
4
质量
51.993025mg
晶体管元件材料
SILICON
32V
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
频率
190MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
2DB1132
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-F3
元素配置
Single
功率耗散
1W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
190MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
32V
最大集电极电流
1A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
180 @ 100mA 3V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
190MHz
最大击穿电压
32V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.5mm
长度
4.5mm
宽度
2.48mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentTransition FrequencyCollector Emitter Saturation VoltageMax Power DissipationPower Dissipation
2DB1132R-13
Surface Mount
TO-243AA
32 V
1 A
190 MHz
-125 mV
1 W
1 W
Surface Mount
TO-243AA
32 V
1 A
150 MHz
-200 mV
2 W
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2DB1132R-13 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
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