![CY7C1381F-133BGCT](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-71v35761ysa200bg-1009.jpg)
CY7C1381F-133BGCT
119-BGA
IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
119-BGA
引脚数
119
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
电压 - 供电
3.135V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
220
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1.27mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
CY7C1381
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
18Mb 512K x 36
时钟频率
133MHz
电源电流-最大值
0.21mA
访问时间
6.5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
密度
18 Mb
待机电流-最大值
0.07A
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
3.14V
长度
22mm
座位高度(最大)
2.4mm
宽度
14mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAccess TimeSupply VoltageTerminal PositionOperating Supply Voltage
-
CY7C1381F-133BGCT
119-BGA
119
Volatile
18 Mb
6.5ns
3.3 V
BOTTOM
3.3 V
-
119-BGA
119
Volatile
18 Mb
3ns
3.3 V
BOTTOM
3.3 V
-
BGA
119
RAM, SDR, SRAM
9 Mb
7.5 ns
3.3 V
BOTTOM
3.3 V
-
119-BGA
119
Volatile
18 Mb
6.5ns
3.3 V
BOTTOM
3.3 V
-
119-BGA
119
Volatile
4 Mb
4ns
3.3 V
BOTTOM
3.3 V
CY7C1381F-133BGCT PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN封装 :