2N3906-G
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Bipolar Transistors - BJT -40V -200mA TO-92
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
晶体管元件材料
SILICON
40V
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bag
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
BOTTOM
JESD-30代码
O-PBCY-T3
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
200mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
30 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
400mV @ 5mA, 50mA
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
-40V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
关断时间-最大值（toff)
300ns
接通时间-最大值(ton)
70ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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2N3906-G PDF数据手册
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