![S71JL064H80BAW010](https://static.esinoelec.com/200image/5b3a7fc08d71bb0c528af59f67919d4e.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
73
Yes
Transferred
ADVANCED MICRO DEVICES INC
BGA
LFBGA, BGA73,10X12,32
70 ns
4194304 words
4000000
85 °C
-25 °C
PLASTIC/EPOXY
LFBGA
BGA73,10X12,32
RECTANGULAR
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
3 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16 / 1M X 8; FLASH CAN ALSO BE ORGANIZED AS 8M X 8
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
73
JESD-30代码
R-PBGA-B73
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.045 mA
组织结构
4MX16
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
16
记忆密度
67108864 bit
内存IC类型
MEMORY CIRCUIT
混合内存类型
FLASH+SRAM
长度
11.6 mm
宽度
8 mm