![AS4C512M16D3L-12BIN](https://static.esinoelec.com/200dimg/alliancememoryinc-as4c512m16d3l12bin-8116.jpg)
AS4C512M16D3L-12BIN
96-TFBGA
IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
96-TFBGA
表面安装
YES
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2015
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
96
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY
电压 - 供电
1.283V~1.45V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.35V
端子间距
0.8mm
JESD-30代码
R-PBGA-B96
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.45V
电源
1.35V
电源电压-最小值(Vsup)
1.283V
内存大小
8Gb 512M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
800MHz
访问时间
13.75ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.011A
记忆密度
8589934592 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
高度
1.2mm
长度
14mm
宽度
9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseMemory TypeAccess TimeSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)Number of PortsTerminal PitchMemory Format
-
AS4C512M16D3L-12BIN
96-TFBGA
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13.75ns
1.35 V
3 (168 Hours)
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20ns
1.35 V
3 (168 Hours)
1
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AS4C512M16D3L-12BIN PDF数据手册
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