![AS4C32M16D2A-25BCN](https://static.esinoelec.com/200dimg/alliancememoryinc-as4c32m16d2a25bin-8765.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
84-TFBGA
表面安装
YES
Volatile
Commercial grade
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PBGA-B84
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 32M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
536870912 bit
长度
12.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseMemory TypeAccess TimeSupply VoltageVoltage - SupplyFactory Lead TimeTerminal PitchMemory Format
-
AS4C32M16D2A-25BCN
84-TFBGA
Volatile
400ps
1.8 V
1.7V ~ 1.9V
8 Weeks
0.8 mm
DRAM
-
84-TFBGA
Volatile
450ps
1.8 V
1.7V ~ 1.9V
8 Weeks
0.8 mm
DRAM
-
84-TFBGA
Volatile
400ps
1.8 V
1.7V ~ 1.9V
8 Weeks
0.8 mm
DRAM
-
84-TFBGA
Volatile
400ps
1.8 V
1.7V ~ 1.9V
8 Weeks
0.8 mm
DRAM
AS4C32M16D2A-25BCN PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :