表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

No

Transferred

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

IN-LINE, R-PSIP-T3

1

150 °C

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

IN-LINE

38 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN LEAD

附加功能

AVALANCHE RATED

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

152 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

520 W