
APT6015B2VFR
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Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
No
Transferred
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
IN-LINE, R-PSIP-T3
1
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
IN-LINE
38 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.15 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
152 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
2500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
520 W