![APT5012JNU3](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
APT5012JNU3
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Description: Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 1000V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Obsolete
ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4
43 A
1
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
附加功能
MOTOR DRIVE BUCK CONFIGURATION
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-D4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.12 Ω
DS 击穿电压-最小值
1000 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
520 W
环境耗散-最大值
520 W
APT5012JNU3 PDF数据手册
- 数据表 :