规格参数
- 类型参数全选
底架
Panel
包装/外壳
SOT-123
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Silver
Compliant
2.5 V
250 W
NPN
+ 200 C
10
- 65 C
Screw Mount
Advanced Semiconductor, Inc.
Advanced Semiconductor, Inc.
35 V
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
FLANGE MOUNT
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
200 °C
MRF464
ROUND
Active
ASI SEMICONDUCTOR INC
5.65
包装
Tray
终端
Solder
ECCN 代码
EAR99
类型
RF Bipolar Power
最高工作温度
60 °C
最小工作温度
-25 °C
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRFM-F4
资历状况
Not Qualified
工作频率
30 MHz
配置
Single
最大额定电流
125 mA
投掷配置
SPST
箱体转运
EMITTER
最大额定电压（直流）
48 V
晶体管应用
AMPLIFIER
操作力
3 N
极性/通道类型
NPN
产品类别
RF Bipolar Transistors
晶体管类型
Bipolar Power
最大耗散功率(Abs)
250 W
集电极电流-最大值(IC)
10 A
最小直流增益（hFE）
10
连续集电极电流
10 A
集电极-发射器电压-最大值
35 V
最高频段
HIGH FREQUENCY BAND
集电极-基极电容-最大值
200 pF
产品类别
RF Bipolar Transistors
辐射硬化
No