制造商是'Microsemi'
Microsemi 存储卡
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 表面安装 | 终端数量 | 无铅代码 | 零件状态 | ECCN 代码 | 附加功能 | HTS代码 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源电压-最大值(Vsup) | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 端口的数量 | 操作模式 | 组织结构 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 记忆密度 | 锁相环 | 内存IC类型 | 刷新周期 | 访问模式 | 自我刷新 | 模块类型 | 长度 | 宽度 | RoHS状态 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | WF512K32N-70H1I5A | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 闪存模块 | 16Mbit | 4 | 4M | 32 | 70 | 512Kx8 | HIP | 4.5 | 5 | 5.5 | 190 | -40 | 85 | Industrial | 无 | HIP | 通孔 | 3.71(Max) | 27.3 | 27.3 | 66 | 4A994.a | Obsolete | 66 | 512Kx32 | 无 | 供应商未确认 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WF2M32-90G2UM5A | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 闪存模块 | 64Mbit | 4 | 16M | 32 | 90 | 2Mx8 | CQFP | 4.5 | 5 | 5.5 | 160 | -55 | 125 | Military | 无 | 无 | CQFP | 表面贴装 | 2.8(Max) | 22.36 | 22.36 | 68 | 4A994.a | Obsolete | 68 | 2Mx32 | 无 | 无 | 供应商未确认 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W3J512M72G-800PBI | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 4Gbyte | 9 | 4G | 72 | 800 | 512Mx8 | FBGA | 1.425 | 1.5 | 1.575 | 1260 | -40 | 85 | Industrial | 无 | Single | 6 | 无 | BGA | 表面贴装 | 5.5(Max) | 32.25(Max) | 23.25(Max) | 543 | 4A994.a | Obsolete | 543 | 512Mx72 | 无 | 有 | SODIMM | 供应商未确认 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WF128K32N-70H1M5 | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 闪存模块 | 4Mbit | 4 | 1M | 32 | 70 | 128Kx8 | HIP | 4.5 | 5 | 5.5 | 140 | -55 | 125 | Military | 无 | HIP | 通孔 | 3.71(Max) | 27.3 | 27.3 | 66 | 4A994.a | Obsolete | 66 | 128Kx32 | 无 | 供应商未确认 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WF1M32B-100G2UI3A | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 闪存模块 | 32Mbit | 4 | 8M | 32 | 100 | 1Mx8 | 3 | 3.3 | 3.6 | 120 | -40 | 85 | Industrial | 无 | CQFP | 表面贴装 | 2.8(Max) | 22.36 | 22.36 | 68 | 4A994.a | Obsolete | 68 | 1Mx32 | 无 | RoHS non-compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W332M72V-133SBI | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | DRAM模块 | 256Mbyte | 5 | 72 | 133 | PBGA | 3 | 3.3 | 3.6 | 575 | -40 | 85 | Industrial | 有 | 4 | 3|2 | 无 | BGA | 表面贴装 | 3.2(Max) | 22.15(Max) | 16.15(Max) | 208 | BGA, | 网格排列 | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 30 | 5.5 ns | 85 °C | 无 | W332M72V-133SBI | 33554432 words | 3.3 V | BGA | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | Transferred | MICROSEMI CORP | 5.37 | 208 | 4A994.a | Unconfirmed | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.36 | CMOS | BOTTOM | BALL | 225 | 1 | 1 mm | unknown | 208 | R-PBGA-B208 | 不合格 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 3 V | 1 | SYNCHRONOUS | 32Mx72 | 72 | 2415919104 bit | 无 | 同步剧 | 8K | 四库页面突发 | 有 | 供应商未确认 | ||||||||||||
![]() | W3H128M72E-667NBM | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | DRAM模块 | 1Gbyte | 5 | 1.8G | 72 | 1.25 | 667 | PBGA | 1.7 | 1.8 | 1.9 | 1375 | -55 | 125 | Military | 有 | 8 | 6 | 无 | BGA | 表面贴装 | 3.94(Max) | 22.1(Max) | 16.1(Max) | 208 | BGA, | 网格排列 | 128000000 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 0.5 ns | 125 °C | 无 | W3H128M72E-667NBM | 134217728 words | 1.8 V | BGA | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | Transferred | MICROSEMI CORP | 5.43 | BGA | 208 | 4A994.a | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.36 | CMOS | BOTTOM | BALL | 1 | 1 mm | compliant | 208 | R-PBGA-B208 | 不合格 | 1.9 V | MILITARY | 1.7 V | 1 | SYNCHRONOUS | 128Mx72 | 72 | 9663676416 bit | 无 | DDR DRAM | 多库页面突发 | 有 | 供应商未确认 | |||||||||||||
![]() | W3H128M72E-400SBI | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 1Gbyte | 5 | 1.8G | 72 | 1.35 | 400 | PBGA | 1.7 | 1.8 | 1.9 | 900 | -40 | 85 | Industrial | 有 | 8 | 4 | 无 | BGA | 表面贴装 | 4.57(Max) | 22.1(Max) | 16.1(Max) | 208 | 4A994.a | 活跃 | 208 | 128Mx72 | 无 | 有 | 供应商未确认 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WEDPN16M64V-100B2I | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 1Gbit | 4 | 256M | 64 | 7|7|7|7|7|7|7|7|7|7|7|7|7|7 | 100 | 16Mx16 | PBGA | 3 | 3.3 | 3.6 | 540 | -40 | 85 | Industrial | Single | 无 | 4 | 3|2 | 无 | PBGA | 表面贴装 | 2.03(Max) | 21.1(Max) | 21.1(Max) | 219 | 4A994.a | Unconfirmed | 219 | 16Mx64 | 无 | 8K | 有 | 供应商未确认 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WEDPN16M64V-133B2M | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 1Gbit | 4 | 256M | 64 | 6|5.5 | 133 | 16Mx16 | PBGA | 3 | 3.3 | 3.6 | 540 | -55 | 125 | Military | Single | 无 | 4 | 3|2 | 无 | PBGA | 表面贴装 | 2.03(Max) | 21.1(Max) | 21.1(Max) | 219 | 4A994.a | Unconfirmed | 219 | 16Mx64 | 无 | 8K | 有 | 供应商未确认 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WEDPZ512K72V-150BM | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SRAM模块 | 36Mbit | 2 | 18M | 72 | 3.8 | 150 | 512Kx36 | PBGA | 3.135 | 3.3 | 3.465 | 700 | -55 | 125 | Military | 有 | BGA | 表面贴装 | 2.03(Max) | 23.1(Max) | 17.1(Max) | 152 | 4A994.a | Obsolete | 152 | 512Kx72 | 无 | 供应商未确认 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W3E32M72S-266BM | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 256Mbyte | 5 | 460.8M | 72 | 0.75 | 266 | PBGA | 2.3 | 2.5 | 2.7 | 2000 | -55 | 125 | Military | 有 | 4 | 2.5 | 无 | BGA | 表面贴装 | 2.03(Max) | 32.1(Max) | 25.1(Max) | 219 | 4A994.a | 219 | 32Mx72 | 无 | 有 | 供应商未确认 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W78M32VP-110BM | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 闪存模块 | 256Mbit | 2 | 128M | 32 | 110 | 8Mx16 | PBGA | 3 | 3.3 | 3.6 | 110 | -55 | 125 | Military | 无 | BGA | 表面贴装 | 2.15(Max) | 22.1(Max) | 13.1(Max) | 159 | 4A994.a | Obsolete | 159 | 8Mx32 | 无 | 供应商未确认 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W3H128M72E2-400NBI | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 1Gbyte | 5 | 1.8G | 72 | 1.35 | 400 | PBGA | 1.7 | 1.8 | 1.9 | 900 | -40 | 85 | Industrial | 有 | 8 | 4 | 无 | BGA | 表面贴装 | 3.94(Max) | 22.1(Max) | 16.1(Max) | 208 | 4A994.a | 208 | 128Mx72 | 无 | 有 | 供应商未确认 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WF2M32-120G2UM5A | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 闪存模块 | 64Mbit | 4 | 16M | 32 | 120 | 2Mx8 | CQFP | 4.5 | 5 | 5.5 | 160 | -55 | 125 | Military | 无 | 无 | CQFP | 表面贴装 | 2.8(Max) | 22.36 | 22.36 | 68 | 4A994.a | Obsolete | 68 | 2Mx32 | 无 | 无 | 供应商未确认 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W332M64V-100SBI | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | DRAM模块 | 256Mbyte | 4 | 512M | 64 | 7 | 100 | PBGA | 3 | 3.3 | 3.6 | 460 | -40 | 85 | Industrial | 无 | 4 | 3|2 | 无 | BGA | 表面贴装 | 2.27(Max) | 22.15(Max) | 13.15(Max) | 208 | BGA, | 网格排列 | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 30 | 7 ns | 85 °C | 无 | W332M64V-100SBI | 33554432 words | 3.3 V | BGA | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | Transferred | MICROSEMI CORP | 5.37 | BGA | 208 | 4A994.a | 无 | Unconfirmed | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX; SEATED HT-CALCULATED | 8542.32.00.36 | CMOS | BOTTOM | BALL | 225 | 1 | 1 mm | unknown | 208 | R-PBGA-B208 | 不合格 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 3 V | 1 | SYNCHRONOUS | 32Mx64 | 2.77 mm | 64 | 2147483648 bit | 无 | 同步剧 | 8K | 多库页面突发 | 有 | 22.15 mm | 13.15 mm | ||||||
![]() | W3H128M72E-667SBM | Microsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | DRAM模块 | 1Gbyte | 5 | 1.8G | 72 | 1.25 | 667 | PBGA | 1.7 | 1.8 | 1.9 | 1375 | -55 | 125 | Military | 有 | 8 | 6 | 无 | BGA | 表面贴装 | 4.57(Max) | 22.1(Max) | 16.1(Max) | 208 | 4A994.a | 活跃 | 208 | 128Mx72 | 无 | 有 | 供应商未确认 |