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制造商是'Microchip'

  • Microchip 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

    (148)

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产品型号

品牌

数据表

有效性

单价(CNY)

询价

认证

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

子类别

额定电流

最大功率耗散

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

Reach合规守则

额定电流

频率

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

工作频率

配置

通道数量

操作模式

功率耗散

箱体转运

输出功率

接通延迟时间

测试电流

晶体管应用

测试电流

上升时间

漏源电压 (Vdss)

极性/通道类型

产品类别

晶体管类型

工作温度范围

连续放电电流(ID)

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

增益

最高频率

最大漏极电流 (Abs) (ID)

DS 击穿电压-最小值

信道型

功率 - 输出

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

噪声图

电压-测试

反馈上限-最大值 (Crss)

最高频段

测试电压

功率增益-最小值(Gp)

产品类别

辐射硬化

无铅
VRF152GMP VRF152GMP

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

活跃

VRF152

1

Microchip

Microchip Technology / Atmel

射频MOSFET晶体管

微芯片技术

Bulk

-

MOSFETs

Si

射频MOSFET晶体管

VRF151 VRF151

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

N-Channel

16 A

180 V

- 65 C

+ 150 C

5 mS

300 W

1

40 V

3.6 V

0.566059 oz

16

Tube

VRF151

活跃

170 V

法兰安装

-

M174

M174

微芯片技术

Details

-

射频功率MOSFET

1mA

175MHz

175 MHz

N-Channel

300

150 W

250 mA

- 65 C to + 150 C

22 dB

N

150W

-

50 V

VRF2944 VRF2944

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

N-Channel

50 A

180 V

- 65 C

+ 150 C

10 mS

795 W

1

40 V

3.6 V

1.699193 oz

50

Bulk

活跃

170 V

法兰安装

-

M177

M177

微芯片技术

Details

-

射频功率MOSFET

50A

30MHz

30 MHz

N-Channel

795

400 W

250 mA

- 65 C to + 150 C

25 dB

400W

-

50 V

VRF2933 VRF2933

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

N-Channel

42 A

180 V

- 65 C

+ 150 C

8 mS

648 W

1

40 V

3.6 V

1.101341 oz

42

Bulk

VRF2933

活跃

170 V

法兰安装

-

0.630 INCH, ROHS COMPLIANT, M177, SOE, 4 PIN

FLANGE MOUNT

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

未说明

200 °C

有

VRF2933

ROUND

1

活跃

MICROSEMI CORP

2.19

40 A

M177

YES

M177

4

SILICON

微芯片技术

Details

-

EAR99

射频功率MOSFET

RADIAL

FLAT

未说明

compliant

2mA

150MHz

O-CRFM-F4

不合格

30 MHz

N-Channel

增强型MOSFET

648

SOURCE

300 W

AMPLIFIER

250 mA

N-CHANNEL

- 65 C to + 150 C

25 dB

170 V

N

300W

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

-

50 V

甚高频段

VRF150 VRF150

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

N-Channel

16 A

180 V

- 65 C

+ 150 C

4.5 mS

300 W

1

40 V

3.6 V

0.726026 oz

Box

VRF150

活跃

170 V

M174

M174

微芯片技术

Details

-

射频功率MOSFET

1mA

150MHz

150 MHz

N-Channel

150 W

250 mA

- 65 C to + 150 C

18 dB

150W

-

50 V

VRF2933MP VRF2933MP

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

1

2.365692 oz

Bulk

VRF2933

活跃

170 V

180 V

N-Channel

+ 150 C

- 65 C

法兰安装

-

42 A

M177

M177

微芯片技术

Details

-

射频功率MOSFET

2mA

150MHz

150 MHz

N-Channel

300 W

250 mA

25dB

300W

-

50 V

ARF476FL ARF476FL

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

N-Channel

10 A

500 V

- 55 C

+ 175 C

3 mS

910 W

1

30 V

3.3 V

0.462535 oz

10

Tray

ARF476

活跃

500 V

500 V

2

12 ns

法兰安装

-

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

未说明

175 °C

有

ARF476FL

RECTANGULAR

活跃

MICROSEMI CORP

2.27

10 A

10 A

15 mA

Screw

-

YES

8

-

8

SILICON

微芯片技术

Details

Bulk

-

无

EAR99

射频功率MOSFET

175 °C

-55 °C

HIGH VOLTAGE

910 W

DUAL

FLAT

未说明

compliant

10A

128MHz

R-XDFM-F8

不合格

150 MHz

2 N-Channel (Dual) Common Source

增强型MOSFET

910

900 W

5.1 ns

AMPLIFIER

15 mA

4.1 ns

500 V

N-CHANNEL

- 55 C to + 175 C

10 A

30 V

15 dB

150 MHz

500 V

N

900W

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

-

150 V

甚高频段

150 V

无铅

ARF466BG ARF466BG

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

N-Channel

13 A

1 kV

1 Ohms

- 55 C

+ 150 C

通孔

3.3 mS

357 W

1

30 V

4 V

1.340411 oz

Tube

ARF466

活跃

1000 V

1 kV

1

13 A

通孔

TO-247-3

TO-264

微芯片技术

Details

Tube

-

射频功率MOSFET

150 °C

-55 °C

13A

40.68MHz

45 MHz

N-Channel

1 Channel

300 W

13 A

16 dB

45 MHz

150W

-

150 V

150 V

无

ARF1500 ARF1500

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

N-Channel

60 A

500 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

6 mS

1.5 kW

1

30 V

5 V

0.706030 oz

Box

ARF1500

活跃

500 V

500 V

1

CERAMIC PACKAGE-6

FLATPACK

1

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

未说明

175 °C

有

ARF1500

SQUARE

活跃

MICROSEMI CORP

1.63

60 A

法兰安装

-

60 A

T-1

YES

T-1

6

SILICON

微芯片技术

Details

-

e1

有

射频功率MOSFET

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

175 °C

-55 °C

HIGH RELIABILITY

1.5 kW

DUAL

FLAT

未说明

compliant

60A

27.12MHz

6

S-CDFP-F6

不合格

40 MHz

N-Channel

增强型MOSFET

ISOLATED

750 W

AMPLIFIER

6 ns

500 V

N-CHANNEL

- 55 C to + 175 C

60 A

30 V

17 dB

60 A

500 V

750W

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

1500 W

-

125 V

甚高频段

125 V

无

ARF1501 ARF1501

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

N-Channel

30 A

1 kV

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

5.5 mS

1.5 kW

1

30 V

5 V

0.669777 oz

30

Tube

ARF1501

活跃

1000 V

1

1 kV

法兰安装

-

CERAMIC PACKAGE-6

FLATPACK

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

未说明

175 °C

无

ARF1501

SQUARE

活跃

MICROSEMI CORP

1.8

30 A

30 A

T-1

YES

T-1

6

SILICON

微芯片技术

Details

Bulk

-

e0

无

EAR99

射频功率MOSFET

锡铅

175 °C

-55 °C

HIGH RELIABILITY

1.5 kW

DUAL

FLAT

未说明

unknown

30A

27.12MHz

6

S-CDFP-F6

不合格

40 MHz

N-Channel

增强型MOSFET

1.5

ISOLATED

750 W

AMPLIFIER

5 ns

1 kV

N-CHANNEL

- 55 C to + 175 C

30 A

30 V

17 dB

30 A

1000 V

N通道

750W

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

1500 W

-

250 V

甚高频段

250 V

无

无铅

ARF1510 ARF1510

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

N-Channel

8 A

1 kV

- 55 C

+ 175 C

3 mS

1.5 kW

1

30 V

5 V

0.687987 oz

8

Tube

ARF1510

活跃

1000 V

1 kV

4

法兰安装

-

8 A

表面贴装

T-1

10

T-1

微芯片技术

Details

Bulk

-

射频功率MOSFET

175 °C

-55 °C

1.5 kW

8A

40.7MHz

40 MHz

N-Channel

1.5

750 W

5 ns

1 kV

- 55 C to + 175 C

8 A

30 V

17 dB

N

750W

-

400 V

400 V

无

ARF449BG ARF449BG

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

N-Channel

9 A

450 V

- 55 C

+ 150 C

通孔

Enhancement

3 mS

165 W

1

30 V

5 V

1.340411 oz

9

Bulk

ARF449

Obsolete

450 V

TO-247-3

TO-247

微芯片技术

Details

Tube

-

射频功率MOSFET

9A

81.36MHz

120 MHz

N-Channel

165

90 W

3.1 ns

- 55 C to + 150 C

13 dB

N通道

90W

-

150 V

VRF151G VRF151G

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

SMD/SMT

1

0.690329 oz

36

Box

VRF151

活跃

170 V

170 V

N-Channel

+ 150 C

- 65 C

-

36 A

SOE-4

M208

微芯片技术

Details

-

射频功率MOSFET

1mA

175MHz

175 MHz

2 N-Channel (Dual) Common Source

500

300 W

500 mA

16dB

N

300W

-

50 V

ARF463AG ARF463AG

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

N-Channel

9 A

500 V

- 55 C

+ 150 C

通孔

Enhancement

4 mS

180 W

1

30 V

5 V

1.340411 oz

9

Tube

ARF463

活跃

500 V

-

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

-55 °C

150 °C

有

ARF463AG

18 ns

RECTANGULAR

1

活跃

MICROSEMI CORP

28 ns

1.29

9 A

TO-247-3

NO

TO-247

3

SILICON

微芯片技术

Details

Tube

-

无

EAR99

射频功率MOSFET

SINGLE

THROUGH-HOLE

compliant

9A

81.36MHz

R-PSFM-T3

100 MHz

N-Channel

增强型MOSFET

180

SOURCE

100 W

AMPLIFIER

50 mA

4.1 ns

N-CHANNEL

- 55 C to + 150 C

TO-247

15 dB

9 A

500 V

N

100W

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

-

125 V

12 pF

甚高频段

13 dB

0912GN-50LE 0912GN-50LE

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

4 mA

150 V

螺钉安装

100 W

1

- 8 V to 0 V

Bulk

活跃

150 V

表面贴装

55-QQ

55-QQP

微芯片技术

Details

E

射频功率MOSFET

-

960MHz ~ 1.215GHz

960 MHz to 1.215 GHz

58 W

30 mA

-

15.9 dB

58W

-

50 V

0912GN-15E 0912GN-15E

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

1 mA

150 V

螺钉安装

1

- 8 V to 0 V

Bulk

活跃

150 V

表面贴装

55-QQ

55-QQ

微芯片技术

Details

E

射频功率MOSFET

-

960MHz ~ 1.215GHz

960 MHz to 1.215 GHz

19 W

10 mA

-

18.1 dB

19W

-

50 V

VRF154FL VRF154FL

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

1

2.840048 oz

Tube

VRF154

活跃

170 V

T2

T2

微芯片技术

Details

VRF154FL

4mA

80MHz

N-Channel

800 mA

17dB

600W

-

50 V

ARF1505 ARF1505

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

N-Channel

25 A

1.2 kV

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

5.5 mS

750 W

1

30 V

5 V

25

Bulk

ARF1505

活跃

1200 V

Die

Die

微芯片技术

Details

-

射频功率MOSFET

25A

27.12MHz

40 MHz

N-Channel

1.5

750 W

5 ns

- 55 C to + 175 C

17 dB

N通道

750W

-

300 V

VRF3933 VRF3933

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

N-Channel

20 A

260 V

- 65 C

+ 150 C

8 mS

648 W

1

40 V

3.6 V

1.292085 oz

FLANGE MOUNT

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

200 °C

有

VRF3933

ROUND

1

不推荐

MICROSEMI CORP

8.44

20 A

YES

4

SILICON

Details

射频功率MOSFET

RADIAL

FLAT

compliant

O-CRFM-F4

30 MHz

SINGLE

增强型MOSFET

SOURCE

350 W

AMPLIFIER

N-CHANNEL

- 65 C to + 150 C

28 dB

20 A

250 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

甚高频段

23 dB

1214GN-400LV 1214GN-400LV

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

16.8 mA

150 V

螺钉安装

800 W

1

- 8 V to 0V

Bulk

活跃

150 V

表面贴装

55-KR

55-KR

微芯片技术

Details

LV

射频功率MOSFET

-

1.2GHz ~ 1.4GHz

1200 MHz to 1400 MHz

400 W

200 mA

HEMT

16.8 dB

400W

-

50 V

1011GN-125E 1011GN-125E

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

12 mA

125 V

法兰安装

214 W

1

- 8 V to 0 V

Bulk

活跃

125 V

表面贴装

55-QQP

55-QQ

微芯片技术

Details

E

射频功率MOSFET

-

1.03GHz ~ 1.09GHz

1030 MHz to 1090 MHz

150 W

60 mA

HEMT

18.75 dB

150W

-

50 V

1214GN-180LV 1214GN-180LV

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

活跃

150 V

1

Microchip

微芯片技术

Details

射频MOSFET晶体管

55-KR

55-KR

微芯片技术

Bulk

-

MOSFETs

-

1.2GHz ~ 1.4GHz

60 mA

HEMT

17dB

180W

-

50 V

射频MOSFET晶体管

VRF154FLMP VRF154FLMP

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

1

Tube

VRF154

活跃

170 V

1

Screw

4-SMD

4

-

微芯片技术

Details

VRF154FL

200 °C

-65 °C

4mA

80MHz

N-Channel

800 mA

VDMOS FET

17dB

600W

-

50 V

1012GN-800V 1012GN-800V

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

36 mA

150 V

螺钉安装

1 kW

1

- 8 V to 0 V

Bulk

活跃

150 V

表面贴装

55-KR

55-KR

微芯片技术

Details

V

射频功率MOSFET

-

1.025GHz ~ 1.15GHz

1025 MHz to 1150 MHz

825 W

120 mA

-

19.3 dB

825W

-

54 V

1011GN-1200VEL 1011GN-1200VEL

Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

64 mA

150 V

法兰安装

2.4 kW

1

- 8 V to 0 V

Bulk

活跃

150 V

表面贴装

55-Q03P

55-Q03P

微芯片技术

Details

V

射频功率MOSFET

-

1.03GHz ~ 1.09GHz

1030 MHz to 1090 MHz

10.5 W

150 mA

HEMT

20 dB

1200W

-

50 V