类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 供应电流 | 产品类别 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BR24A16F-WLBH2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Cut Tape (CT) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | ALSO AVAILABLE IN 100KHZ AND SEATED HT-CALCULATED | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 2.5V | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | EEPROM | I2C | 2KX8 | 8 | 5ms | 16384 bit | SERIAL | I2C | 5ms | 1.71mm | 5mm | 4.4mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX25U4035MI-25G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2007 | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | ALSO CONFIGURABLE AS 4M X 1, 10 YEAR DATA RETENTION | 8542.32.00.51 | 1.65V~2V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 未说明 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 1.8V | 2V | 1.65V | SPI, Serial | 4Mb 512K x 8 | SYNCHRONOUS | 40MHz | FLASH | SPI | 1MX4 | 4 | 300μs, 7ms | 4 Mb | 0.000005A | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | 5962-3829413MXA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Tube | 5962-3829413 | This product may require additional documentation to export from the United States. | + 125 C | 5.5 V | - 55 C | 13 | 4.5 V | 通孔 | Parallel | Renesas Electronics | Renesas Electronics | N | SRAM | 通孔 | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) | 28-CDIP | Renesas Electronics America Inc | Volatile | -55°C ~ 125°C (TA) | Tube | - | Asynchronous | Memory & Data Storage | 4.5V ~ 5.5V | 64Kbit | 35 ns | SRAM | Parallel | 8 k x 8 | 35ns | SRAM | 8K x 8 | 1.65 mm | 37.2 mm | 15.24 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8182R36BD-250 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 512000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 0.45 ns | 70 °C | 无 | GS8182R36BD-250 | 524288 words | 1.8 V | LBGA | RECTANGULAR | GSI技术 | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.19 | BGA | YES | 165 | LBGA, | e0 | 无 | 3A991.B.2.B | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | not_compliant | 165 | R-PBGA-B165 | 不合格 | 1.9 V | COMMERCIAL | 1.7 V | SYNCHRONOUS | 512KX36 | 1.4 mm | 36 | 18874368 bit | PARALLEL | DDR SRAM | 15 mm | 13 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25AA080D-I/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2004 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 25AA080D | 8 | 5V | SPI, Serial | 8Kb 1K x 8 | 5mA | 10MHz | 160 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 8 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.1mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62136ESL-45ZSXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2001 | MoBL® | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | IT ALSO OPERATES WITH 4.5V TO 5.5V SUPPLY | 2.2V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | CY62136 | 不合格 | 3.6V | 2.5/3.3/5V | 2.2V | 2Mb 128K x 16 | 1 | 20mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 45ns | 17b | 2 Mb | 0.000003A | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 1V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AS7C34096A-12TINTR | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2001 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | 3V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | 44 | R-PDSO-G44 | 3.3V | 3.6V | 3V | 4Mb 512K x 8 | SRAM | Parallel | 512KX8 | 8 | 12ns | 4 Mb | 12 ns | 1.2mm | 18.415mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1460AV25-167BZCT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | NoBL™ | e0 | no | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 2.375V~2.625V | BOTTOM | 220 | 1 | 2.5V | 1mm | CY7C1460 | 2.5V | 2.625V | 2.375V | 36Mb 1M x 36 | 4 | 335mA | 167MHz | 3.4ns | SRAM | Parallel | 1MX36 | 3-STATE | 36 | 20b | 36 Mb | 0.12A | COMMON | Synchronous | 36b | 2.38V | 17mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT24C32D-MEHM-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-XFDFN | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | 1.7V~5.5V | DUAL | 1 | 0.4mm | AT24C32 | 5.5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 550ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | I2C | 5ms | 0.4mm | 2.2mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S16100F-7TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 50 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 50 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 40 | 50 | 3.3V | 3.6V | 3V | 16Mb 1M x 16 | 1 | 100mA | 143MHz | 5.5ns | DRAM | Parallel | 16b | 1MX16 | 3-STATE | 12b | 16 Mb | 0.002A | COMMON | 2048 | 1.05mm | 21.08mm | 10.29mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR93H66RF-2LBH2 | Rohm Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Volatile | BR93H66 | 125C | 汽车 | SOP | -40C to 125C | Serial (3-Wire) | 100 | 5.5(V) | 3.3/5(V) | 无 | 2.5(V) | -40C | 有 | 表面贴装 | 2 MHz | + 125 C | 5.5 V | - 40 C | 250 | 1.5 mA | 2.5 V | SMD/SMT | BR93H66RF-2LB(H2) | ROHM 半导体 | ROHM 半导体 | Details | 5 X 6.20 MM, 1.71 MM HEIGHT, SOP-8 | 小概要 | 256 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 125 °C | 有 | BR93H66RF-2LBH2 | 2 MHz | 256 words | 5 V | SOP | RECTANGULAR | 活跃 | ROHM CO LTD | 2.32 | EEPROM | 表面贴装 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | YES | 8-SOP | 8 | Rohm Semiconductor | 活跃 | -40°C ~ 125°C (TA) | 卷带 | - | Memory & Data Storage | 2.5V ~ 5.5V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | compliant | 2(MHz) | 8 | R-PDSO-G8 | 5.5 V | AUTOMOTIVE | 2.5 V | 4Kbit | SYNCHRONOUS | 2 MHz | 1.5 mA, 3 mA | EEPROM | Microwire | 256x16 | 1.71 mm | 16 | 4ns | 4096(Bit) | 4096 bit | 200(ns) | SERIAL | EEPROM | 2.5 TO 5.5 | 3-WIRE | 4 ms | 无 | 3(mA) | EEPROM | 256 x 16 | 5 mm | 4.4 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS81302D06E-450 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FBGA | QDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 16 MWords | 8 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | 450 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | Commercial grade | BGA-165 | 450 MHz | 0 to 85 °C | GS81302D06E | 165 | 144 Mbit | 2 | 1.175 mA | Pipelined | 16 M x 8 | 22 Bit | 144 Mbit | Commercial | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS882Z18CGD-150I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 150 MHz | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 72 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | NBT SRAM | Details | SDR | LBGA, | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 3 | 512000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 7.5 ns | 85 °C | 有 | GS882Z18CGD-150I | 524288 words | 2.5 V | LBGA | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.13 | BGA | SRAM | BGA-165 | YES | 165 | 有 | Tray | GS882Z18CGD | e1 | 有 | 3A991.B.2.B | NBT Pipeline/Flow Through | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 1 mm | compliant | 165 | R-PBGA-B165 | 不合格 | 2.7 V | INDUSTRIAL | 2.3 V | 9 Mbit | SYNCHRONOUS | 140 mA, 150 mA | 7.5 ns | 512 k x 18 | 1.4 mm | 18 | 9437184 bit | PARALLEL | ZBT SRAM | SRAM | 15 mm | 13 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8673EQ36BGK-625 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | BGA | QDR | 1.3500 V | 1.3 V | Synchronous | 2 MWords | 36 Bit | 1.4 V | 表面贴装 | 625 MHz | + 85 C | 1.4 V | 0 C | 1.3 V | SMD/SMT | Parallel | Commercial grade | BGA-260 | 625/400 MHz | 0 to 70 °C | GS8673EQ36BGK | 260 | 72 Mbit | 2.97 A | Pipelined | 2 M x 36 | 20 Bit | 72 Mbit | Commercial | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M95040-DRDW8TP/K | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tape & Reel (TR) | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 未说明 | M95040 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | SPI, Serial | 4Kb 512 x 8 | SYNCHRONOUS | 20MHz | EEPROM | SPI | 8 | 4ms | 0.000001A | 4096 bit | SPI | 900000 Write/Erase Cycles | 4ms | 50 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14B101L-SZ35XC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2009 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | unknown | 20 | CY14B101 | 32 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 1Mb 128K x 8 | 55mA | ASYNCHRONOUS | NVSRAM | Parallel | 8b | 128KX8 | 8 | 35ns | 1 Mb | 0.003A | 35 ns | 8b | 2.54mm | 20.726mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39LF801C-55-4C-EKE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2011 | SST39 MPF™ | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 40 | SST39LF801 | 48 | 3.3V | 3.6V | 3V | 8Mb 512K x 16 | 18mA | 55ns | FLASH | Parallel | 16b | 512KX16 | 16 | 10μs | 19b | 8 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | 2.7V | YES | YES | YES | 256 | 2K | YES | BOTTOM | YES | 1.2mm | 18.4mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR24L08FVJ-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 9 Weeks | Copper, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e2 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 锡铜 | 8542.32.00.51 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 10 | BR24L08 | 8 | S-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | 1.8V | 2-Wire, I2C, Serial | 8Kb 1K x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | EEPROM | I2C | 1KX8 | 8 | 5ms | 8 kb | 0.000002A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DMMR | 1.1mm | 3mm | 3mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24LC024HT-E/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 4.5V | 1.27mm | 40 | 24LC024H | 8 | 5V | I2C, Serial | 2Kb 256 x 8 | 3mA | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 2 kb | I2C | 5ms | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CYD18S36V18-167BBAI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 256-LBGA | 256 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2002 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 256 | Tin/Lead (Sn/Pb) | PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V | 1.42V~1.58V 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.5V | 1mm | 30 | CYD18S36 | 256 | 1.8V | 1.58V | 18Mb 512K x 36 | 2 | 780mA | 167MHz | 4ns | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 19b | 18 Mb | 0.35A | COMMON | Synchronous | 36b | 1.4V | 1.7mm | 17mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS45S16160G-7TLA2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.8mm | 54 | 3.3V | 3.6V | 3V | 256Mb 16M x 16 | 1 | 130mA | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 16MX16 | 3-STATE | 16 | 15b | 256 Mb | 0.004A | COMMON | 8192 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX29GL512GHT2I-10G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | MX29GL | 活跃 | 56 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | R-PDSO-G56 | 3.6V | 2.7V | 512Mb 64M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 32MX16 | 16 | 100ns | 536870912 bit | 100 ns | 3V | 8 | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC024HT-I/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 4.5V | 0.65mm | 40 | 24LC024H | 8 | 5V | I2C, Serial | 2Kb 256 x 8 | 3mA | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 2 kb | I2C | 5ms | 1.1mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1319CV18-250BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 165-LBGA | YES | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | 3A991.B.2.A | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 1mm | not_compliant | CY7C1319 | 165 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 18Mb 1M x 18 | 250MHz | 0.7mA | 450 ps | SRAM | Parallel | 1MX18 | 3-STATE | 18 | 18 Mb | 0.3A | COMMON | 1.7V | 1.4mm | 15mm | 13mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1412AV18-200BZI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2006 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.8V | 1mm | not_compliant | 未说明 | CY7C1412 | 165 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 36Mb 2M x 18 | 2 | 725mA | 200MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 20b | 36 Mb | 0.3A | SEPARATE | Synchronous | 18b | 1.7V | 1.4mm | 17mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 |