类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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 | CY7C1568KV18-400BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 30 | CY7C1568 | 165 | 1.8V | 72Mb 4M x 18 | 1 | 590mA | 400MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 21b | 72 Mb | 0.32A | COMMON | Synchronous | 18b | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT93C56A-10PU-1.8 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | 8-PDIP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | Obsolete | 不适用 | 85°C | -40°C | 1.8V~5.5V | 250kHz | AT93C56A | 5V | Serial | 5.5V | 1.8V | 2Kb 256 x 8 128 x 16 | 2mA | 2MHz | EEPROM | SPI | 10ms | 2 kb | 250kHz | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C024AV-25AXCT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2003 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 3V~3.6V | QUAD | 3.3V | 0.5mm | 25GHz | CY7C024 | 3.3V | 64Kb 4K x 16 | 2 | 165mA | SRAM | Parallel | 4KX16 | 3-STATE | 16 | 25ns | 24b | 64 kb | 0.00005A | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C09169AV-12AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1997 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | 3V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | unknown | 40 | CY7C09169 | 100 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 144Kb 16K x 9 | 2 | 180mA | 50MHz | 12ns | SRAM | Parallel | 16KX9 | 3-STATE | 9 | 28b | 144 kb | 0.0005A | COMMON | Synchronous | 9b | 3V | 1.6mm | 14mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | R1LV0408DSA-5SI#B0 | Renesas | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | R1LV0408D | 活跃 | Volatile | 512000 | Compliant | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.465, 11.80mm Width) | 32 | 32-sTSOP | Renesas Electronics America Inc | Bulk | -40°C ~ 85°C (TA) | - | 85 °C | -40 °C | SRAM | 2.7V ~ 3.6V | 3 V | Parallel | 3.6 V | 2.7 V | 4Mbit | 1 | 10 mA | 55 ns | SRAM | Parallel | 55ns | 19 b | 4 Mb | Asynchronous | 8 b | 512K x 8 | 无 | 无SVHC | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL512T10TFI030 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | -40°C | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 85°C | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 56 | 8542.32.00.51 | DUAL | 鸥翼 | 1 | 3V | 0.5mm | R-PDSO-G56 | 3.6V | INDUSTRIAL | 2.7V | ASYNCHRONOUS | 32MX16 | 16 | 536870912 bit | 100 ns | PARALLEL | FLASH | 2.7V | 8 | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT45DB161E-SHFHA-T | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 1997 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2.3V~3.6V | 260 | 未说明 | SPI, Serial | 16Mb 528Bytes x 4096 pages | 85MHz | 7 ns | FLASH | SPI | 8μs, 4ms | 16 Mb | 2.7V | 528B | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAT28C16AGI-12T | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | CAT28C16A | 32 | 不合格 | 5V | 5V | 16Kb 2K x 8 | 35mA | ASYNCHRONOUS | 120ns | EEPROM | Parallel | 2KX8 | 8 | 5ms | 16 kb | 0.0001A | 5V | 100000 Write/Erase Cycles | 5ms | YES | NO | NO | 3.55mm | 13.97mm | 11.43mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1220Y-120+ | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 24-DIP Module (0.600, 15.24mm) | 24-DIP | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4.5V~5.5V | 16Kb 2K x 8 | 120ns | NVSRAM | Parallel | 120ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BQ4010YMA-70N | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 28-DIP Module (0.61, 15.49mm) | 28 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 2.54mm | BQ4010 | 5V | 5V | 64Kb 8K x 8 | 50mA | 50mA | NVSRAM | Parallel | 8b | 8KX8 | 8 | 70ns | 64 kb | 0.004A | 70 ns | 8b | 9.53mm | 37.72mm | 无 | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61LPS12836EC-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 100-LQFP | YES | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.41 | 3.135V~3.465V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 10 | 100 | 不合格 | 3.465V | 2.52.5/3.3V | 3.135V | 4.5Mb 128K x 36 | 200MHz | 3.1ns | SRAM | Parallel | 128KX36 | 3-STATE | 36 | 0.085A | 4718592 bit | COMMON | 3.14V | 1.6mm | 20mm | 14mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 70V06L20PFGI | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 64-LQFP | 64-TQFP | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 活跃 | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | IDT70V06 | 128Kb 16K x 8 | 20ns | SRAM | Parallel | 20ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AM29LV160DB-70EC | AMD | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 1000000 | PLASTIC/EPOXY | TSSOP48,.8,20 | 70 ns | 70 °C | 无 | AM29LV160DB-70EC | 1048576 words | 3 V | TSOP1 | RECTANGULAR | AMD | Transferred | ADVANCED MICRO DEVICES INC | 4.25 | TSOP1 | YES | 48 | MO-142DD, TSOP-48 | e0 | EAR99 | NOR型号 | Tin/Lead (Sn/Pb) | MIN 1000K WRITE CYCLES; BOTTOM BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | 闪存 | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 1 | 0.5 mm | unknown | 48 | R-PDSO-G48 | 不合格 | 3.6 V | 3/3.3 V | COMMERCIAL | 2.7 V | ASYNCHRONOUS | 0.03 mA | 1MX16 | 1.2 mm | 16 | 0.000005 A | 16777216 bit | PARALLEL | FLASH | 3 V | 8 | YES | YES | YES | 1,2,1,31 | 16K,8K,32K,64K | YES | BOTTOM | YES | 18.4 mm | 12 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25AA640-I/SNG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 1 | 8000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 40 | 85 °C | 有 | 25AA640-I/SNG | 1 MHz | 8192 words | 2.5 V | SOP | RECTANGULAR | Microchip Technology Inc | 不推荐 | MICROCHIP TECHNOLOGY INC | 5.23 | SOIC | YES | 8 | 3.90 MM, PLASTIC, SOIC-8 | e3 | 有 | EAR99 | 哑光锡 | 8542.32.00.51 | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 1.27 mm | compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5 V | INDUSTRIAL | 1.8 V | SYNCHRONOUS | 8KX8 | 1.75 mm | 8 | 65536 bit | SERIAL | EEPROM | SPI | 5 ms | 4.9 mm | 3.9 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25AA160A-I/SNG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 1 | 2000 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.25 | -40 °C | 40 | 85 °C | 有 | 25AA160A-I/SNG | 10 MHz | 2048 words | 2.5 V | SOP | RECTANGULAR | Microchip Technology Inc | 不推荐 | MICROCHIP TECHNOLOGY INC | 5.26 | SOIC | YES | 8 | 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 1.27 mm | compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5 V | 2/5 V | INDUSTRIAL | 1.8 V | SYNCHRONOUS | 0.006 mA | 2KX8 | 1.75 mm | 8 | 0.000001 A | 16384 bit | SERIAL | EEPROM | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 4.9 mm | 3.9 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S16320D-6TL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | 哑光锡 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 225 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | 不合格 | 3.6V | 3.3V | 3V | 512Mb 32M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 166MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 32MX16 | 3-STATE | 16 | 0.004A | 536870912 bit | COMMON | 8192 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS46TR16128B-15HBLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 96-TFBGA | YES | 96 | Volatile | -40°C~95°C TC | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 96 | AUTO/SELF REFRESH | 1.425V~1.575V | BOTTOM | 1 | 1.5V | 0.8mm | 1.5V | 1.575V | 1.425V | 2Gb 128M x 16 | 1 | ASYNCHRONOUS | 667MHz | 20ns | DRAM | Parallel | 128MX16 | 16 | 15ns | 14b | 2 Gb | 1.2mm | 13mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S16100E-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 50 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 50 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 40 | 50 | 3.3V | 3.6V | 3V | 16Mb 1M x 16 | 1 | 150mA | 150mA | 143MHz | 5.5ns | DRAM | Parallel | 16b | 1MX16 | 3-STATE | 12b | 16 Mb | 0.004A | COMMON | 2048 | 1.05mm | 21.08mm | 10.29mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LE25U81AFDTWG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Tin (Sn) | 2.3V~2.7V | DUAL | 1 | 2.5V | 1.27mm | 8 | 2.5V | 2.7V | 2.3V | SPI, Serial | 8Mb 1M x 8 | SYNCHRONOUS | 40MHz | FLASH | SPI | 8 | 500μs | 20b | 8 Mb | 2.7V | 256B | 4.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S27KL0641DABHI020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 24-VBGA | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | HyperRAM™ KL | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | 8542.31.00.01 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | R-PBGA-B24 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 100MHz | 40ns | PSRAM | Parallel | 8MX8 | 8 | 67108864 bit | 1mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS62WV12816BLL-55BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 2 (1 Year) | 2.5V~3.6V | 3.3V | 2Mb 128K x 16 | 1 | 3mA | SRAM | Parallel | 55ns | 17b | 2 Mb | Asynchronous | 16b | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25M01-UUM-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-XFBGA, WLCSP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2005 | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | ALSO OPERATES AT 1.7 V AND 2.5 V AT 5 MHZ AND 10 MHZ RESPECTIVELY | 1.7V~5.5V | BOTTOM | 1 | 5V | 0.43mm | X-PBGA-B8 | 不合格 | 5.5V | 1.8/5V | 4.5V | SPI, Serial | 1Mb 128K x 8 | SYNCHRONOUS | 20 ns | EEPROM | SPI | 128KX8 | 8 | 5ms | 1 Mb | 0.000003A | 20MHz | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 0.54mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LCS52/P | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | IN-LINE | 256 | PLASTIC/EPOXY | DIP8,.3 | 未说明 | 70 °C | 有 | 24LCS52/P | 0.1 MHz | 256 words | 2.5 V | DIP | RECTANGULAR | Microchip Technology Inc | 活跃 | MICROCHIP TECHNOLOGY INC | 4.9 | DIP | NO | 8 | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1000K ERASE/WRITE CYCLES; HARDWARE WRITE PROTECT; DATA RETENTION > 200 YEARS | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | THROUGH-HOLE | 未说明 | 1 | 2.54 mm | compliant | 8 | R-PDIP-T8 | 不合格 | 5.5 V | 3/5 V | COMMERCIAL | 2.2 V | SYNCHRONOUS | 0.003 mA | 256X8 | 8 | 0.00003 A | 2048 bit | SERIAL | EEPROM | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 10 ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NAND256W3A2BN6F | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e3/e6 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | TIN/TIN BISMUTH | 8542.32.00.51 | 3V | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | NAND256 | 48 | 不合格 | 3.6V | 2.7V | 256Mb 32M x 8 | ASYNCHRONOUS | 0.02mA | FLASH | Parallel | 8b | 32MX8 | 8 | 50ns | 0.00005A | 268435456 bit | 12000 ns | 3V | NO | NO | YES | 2K | 16K | 512words | YES | 1.2mm | 18.4mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT28F010GI12 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2007 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | SMD/SMT | EAR99 | 4.5V~5.5V | QUAD | 245 | 1 | 5V | 1.27mm | 40 | CAT28F010 | 32 | 不合格 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 30mA | FLASH | Parallel | 8b | 128KX8 | 8 | 120ns | 17b | 1 Mb | 0.0001A | 120 ns | Asynchronous | 8b | 12V | 100000 Write/Erase Cycles | NO | NO | YES | 3.55mm | 13.97mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 |