表面安装

NO

终端数量

8

0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

IN-LINE

256

PLASTIC/EPOXY

DIP8,.3

NOT SPECIFIED

70 °C

Yes

24LCS52/P

0.1 MHz

256 words

2.5 V

DIP

RECTANGULAR

Microchip Technology Inc

Active

MICROCHIP TECHNOLOGY INC

4.9

DIP

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

1000K ERASE/WRITE CYCLES; HARDWARE WRITE PROTECT; DATA RETENTION > 200 YEARS

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDIP-T8

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

3/5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.2 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.003 mA

组织结构

256X8

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.00003 A

记忆密度

2048 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

I2C

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

10 ms

数据保持时间

200

写入保护

HARDWARE/SOFTWARE

I2C控制字节

1010DDDR