类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | 输入电容 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 反向引脚排列 | 自我刷新 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | DS1330ABP-70+ | Maxim Integrated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 34-PowerCap™ Module | YES | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2010 | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 34 | EAR99 | 哑光锡 | 8473.30.11.40 | 4.75V~5.25V | DUAL | 245 | 1 | 5V | 40 | DS1330AB | 34 | R-XDMA-U34 | 不合格 | 5.25V | 5V | 4.75V | 256Kb 32K x 8 | ASYNCHRONOUS | NVSRAM | Parallel | 32KX8 | 8 | 70ns | 0.00015A | 262144 bit | 70 ns | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1LP0108ESN-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 32-SOIC (0.450, 11.40mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Cut Tape (CT) | 2013 | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 32 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 1.27mm | 32 | R-PDSO-G32 | 不合格 | 5.5V | 5V | 4.5V | 1Mb 128K x 8 | ASYNCHRONOUS | 0.035mA | SRAM | Parallel | 128KX8 | 3-STATE | 8 | 55ns | 0.000002A | 1048576 bit | 55 ns | COMMON | 2V | 3.05mm | 20.75mm | 11.4mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GD25Q16CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 16Mb 2M x 8 | 120MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 50μs, 2.4ms | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C146-55JXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 52-LCC (J-Lead) | 52 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2003 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 52 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 260 | 1 | 5V | 20 | CY7C146 | 52 | 5V | 5V | 16Kb 2K x 8 | 2 | 110mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 55ns | 22b | 16 kb | 0.015A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 5.08mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | TB28F008SA-100 | Intel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S16400J-5TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Commercial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.8mm | 54 | 3.3V | 3.6V | 3V | 64Mb 4M x 16 | 1 | 110mA | 110mA | 200MHz | 4.8ns | DRAM | Parallel | 16b | 4MX16 | 3-STATE | 16 | 14b | 64 Mb | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | NO | YES | 1.2mm | 22.22mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR24G01FVT-3GE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.6V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 未说明 | BR24G01 | 不合格 | 5.5V | 1.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 1Kb 128 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900 ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 1 kb | 0.000002A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL256P90FFSS80 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | 0°C~85°C TA | Tray | GL-P | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 256Mb 32M x 8 | FLASH | Parallel | 90ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL116K0XNFI013 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Cut Tape (CT) | 2014 | FL1-K | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | ALSO CONFIGURABLE AS 16M X 1 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 16Mb 2M x 8 | SYNCHRONOUS | 108MHz | 0.025mA | 8.5 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 4MX4 | 4 | 3ms | 24b | 16 Mb | 0.000005A | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 256B | 6mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT93C66B-MAHM-E | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | ALSO OPERATES AT MIN 1.8 V AT 250 KHZ | 8542.32.00.51 | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | AT93C66B | R-PDSO-N8 | 5.5V | 4.5V | 4Kb 512 x 8 256 x 16 | SYNCHRONOUS | 2MHz | EEPROM | SPI | 256X16 | 16 | 5ms | 4096 bit | SERIAL | 3-WIRE | 5ms | 8 | 0.6mm | 3mm | 2mm | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL256SAGMFIR10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | IT ALSO CONFIGURED AS 256M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G16 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 256Mb 32M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | 0.1mA | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX4 | 4 | 0.0001A | 268435456 bit | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 500ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | BOTTOM | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064N11TFIV13 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 56 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | GL-N | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1.65V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | 3.6V | 1.8/3.33/3.3V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | 0.05mA | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 110ns | 64 Mb | 0.000005A | 110 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 128 | 64K | 8/16words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EDB8132B4PM-1D-F-D | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 9 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 168-WFBGA | 168 | Volatile | -30°C~85°C TC | Bulk | 活跃 | 3 (168 Hours) | 168 | AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOMINAL SUPPLY | 1.14V~1.95V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.2V | 0.5mm | 未说明 | 1.3V | 1.14V | 8Gb 256M x 32 | 1 | SYNCHRONOUS | 5.5 ns | DRAM | Parallel | 256MX32 | 32 | 8589934592 bit | 533MHz | 0.82mm | 12mm | 12mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR93C46R-10SU-1.8 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMD/SMT | 3-Wire, Microwire | 1.8 V | - 40 C | + 85 C | 250 kHz | 100 Year | 2 mA | 2500 | 0.019048 oz | 5.5 V | LSOP, SOP8,.25 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE | 1000 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.25 | -40 °C | 10 | 85 °C | 有 | BR93C46R-10SU-1.8 | 2 MHz | 1024 words | 2.7 V | LSOP | RECTANGULAR | Obsolete | ROHM CO LTD | 5.78 | SOIC | YES | 8 | Details | MouseReel | e3/e2 | 有 | EAR99 | TIN/TIN COPPER | 8542.32.00.51 | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 1.27 mm | compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 2.5 V, 3.3 V, 5 V | 5.5 V | 2/5 V | INDUSTRIAL | 1.8 V | 1 kbit | 2 mA | SYNCHRONOUS | 2 mA | 64 x 16 | 1.475 mm | 16 | 0.00001 A | 16384 bit | SERIAL | EEPROM | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10 ms | 100 | SOFTWARE | 1.5 mm (Max) | 5 mm (Max) | 3.99 mm (Max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS4576C36GL-25I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMD/SMT | 400 MHz | 1.7 V | - 40 C | + 95 C | 有 | 18 | 0.423288 oz | 1.9 V | TFBGA, | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 16000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | GS4576C36GL-25I | 16777216 words | 1.8 V | TFBGA | RECTANGULAR | 生命周期结束 | GSI TECHNOLOGY | 5.09 | BGA | uBGA-144 | YES | 144 | Details | Tray | 3A991.B.2.B | SDRAM - DDR | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 0.8 mm | compliant | 144 | R-PBGA-B144 | 不合格 | 1.9 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | 576 Mbit | 1 | SYNCHRONOUS | 570 mA | 20 ns | 36 bit | 16 M x 36 | 1.2 mm | 36 | 603979776 bit | DDR DRAM | 多库页面突发 | YES | 18.5 mm | 11 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT47H128M4BT-37E:A | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 128000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA92,9X21,32 | 30 | 0.5 ns | 85 °C | 有 | MT47H128M4BT-37E:A | 267 MHz | 134217728 words | 1.8 V | TFBGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 8.62 | BGA | YES | 92 | TFBGA, BGA92,9X21,32 | e1 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.8 mm | unknown | 92 | R-PBGA-B92 | 不合格 | 1.9 V | 1.8 V | OTHER | 1.7 V | 1 | SYNCHRONOUS | 128MX4 | 3-STATE | 1.2 mm | 4 | 0.005 A | 536870912 bit | COMMON | DDR DRAM | 8192 | 4,8 | 4,8 | 四库页面突发 | YES | 19 mm | 11 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT49H32M18CBM-25E:A | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA144,12X18,40/32 | 30 | 15 ns | 95 °C | 有 | MT49H32M18CBM-25E:A | 400 MHz | 33554432 words | 1.8 V | TBGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.73 | BGA | YES | 144 | LEAD FREE, UBGA-144 | e1 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 自动刷新 | 8542.32.00.32 | DRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 1 mm | unknown | 144 | R-PBGA-B144 | 不合格 | 1.9 V | 1.5/1.8,1.8,2.5 V | OTHER | 1.7 V | 1 | SYNCHRONOUS | 0.98 mA | 32MX18 | 3-STATE | 1.2 mm | 18 | 0.053 A | 603979776 bit | SEPARATE | DDR DRAM | 2,4,8 | 2,4,8 | 多库页面突发 | 18.5 mm | 11 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M27C4001-15C1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 150GHz | 未说明 | M27C4001 | 32 | 不合格 | 5V | 5V | 4Mb 512K x 8 | 30mA | 50mA | ASYNCHRONOUS | 150ns | EPROM | Parallel | 512KX8 | 3-STATE | 8 | 4 Mb | 0.0001A | 6pF | COMMON | 3.56mm | 13.97mm | 11.43mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W29N04GVSIAA | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.488, 12.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.5mm | R-PDSO-G48 | 3.6V | 2.7V | 4Gb 512M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 512MX8 | 8 | 25ns | 4294967296 bit | 3.3V | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1061AV33-12ZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1996 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 54 | Matte Tin (Sn) | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | unknown | 12GHz | 20 | CY7C1061 | 54 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 16Mb 1M x 16 | 1 | 260mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 12ns | 20b | 16 Mb | 0.05A | COMMON | Asynchronous | 16b | 3V | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL164K0XNFI010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | 8-WSON (5x6) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | FL1-K | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 2.7V~3.6V | 108MHz | SPI, Serial | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 | 25mA | 25mA | 108MHz | 8.5 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 8b | 3ms | 24b | 64 Mb | 108MHz | Synchronous | 8b | 256B | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M29F400FB55N3E2 | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Automotive grade | Tin | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tray | 2010 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 30 | M29F400 | 48 | 5V | 5V | 4.5V | 4Mb 512K x 8 256K x 16 | 20mA | FLASH | Parallel | 256KX16 | 16 | 55ns | 4 Mb | 0.00012A | AEC-Q100 | 55 ns | Asynchronous | 8 | YES | YES | YES | 1217 | 16K8K32K64K | YES | BOTTOM | YES | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25040AN-10SU-2.7 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS4576C18GL-25I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMD/SMT | 400 MHz | 1.7 V | - 40 C | + 95 C | 有 | 18 | 0.423288 oz | 1.9 V | TFBGA, | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | GS4576C18GL-25I | 33554432 words | 1.8 V | TFBGA | RECTANGULAR | 生命周期结束 | GSI TECHNOLOGY | 5.09 | BGA | uBGA-144 | YES | 144 | Details | Tray | 3A991.B.2.B | SDRAM - DDR | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 0.8 mm | compliant | 144 | R-PBGA-B144 | 不合格 | 1.9 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | 576 Mbit | 1 | SYNCHRONOUS | 500 mA | 20 ns | 18 bit | 32 M x 18 | 1.2 mm | 18 | 603979776 bit | DDR DRAM | 多库页面突发 | YES | 18.5 mm | 11 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TH58BVG2S3HTAI0 | Kioxia America, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48-TSOP I | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | Benand™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 4Gb 512M x 8 | 25ns | FLASH | Parallel | 25ns | 符合RoHS标准 |