null 产品销售 - PDF - null - 页 319 - 深圳市佳达源电子有限公司

类别是'存储器'

存储器 (6000)

产品型号	品牌	数据表	有效性	单价(CNY)	询价	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	界面	最大电源电压	最小电源电压	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	无卤素	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	I/O类型	同步/异步	待机电压-最小值	备用内存宽度	拨动位	扇区/尺寸数	行业规模	页面尺寸	准备就绪/忙碌
GS88132CD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8 Weeks	GRID ARRAY, LOW PROFILE	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	70 °C	无	GS88132CD-250	262144 words	3.3 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel				BGA-165	YES		165	LBGA,				GS88132CD						3A991.B.2.B					ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY, FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			165	R-PBGA-B165	不合格		3.6 V		COMMERCIAL	3 V				9 Mbit			SYNCHRONOUS		155 mA, 195 mA	5.5 ns				256KX32			1.4 mm	32						9		SERIAL				缓存SRAM																	15 mm	13 mm
GS81302D18E-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II	Industrial grade	SRAM					BGA-165				333 MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS81302D18E							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage												165											144 Mbit	2				900 mA				Pipelined	8 M x 18						21 Bit	144 Mbit			Industrial																				SRAM
GS81302T38E-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	1.8000 V	1.7 V	36 Bit	1.9 V	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade	SRAM					BGA-165				FBGA	-40 to 100 °C	Tray		GS81302T38E							SigmaDDR-II+						Memory & Data Storage												165											144 Mbit					1.31 A	0.45				4 M x 36									144	Industrial																				SRAM
GS81284Z36GB-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	167 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade	SRAM					BGA-119				125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	-40 to 85 °C	Tray		GS81284Z36GB							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage												119											144 Mbit	4				375 mA, 430 mA	8 ns			Flow-Through/Pipelined	4 M x 36						22 Bit	144 Mbit			Industrial																				SRAM
GS81302D09GE-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade					BGA-165				333 MHz	-40 to 100 °C			GS81302D09GE																									165											144 Mbit	2				900 mA				Pipelined	16 M x 9						22 Bit		144 Mbit			Industrial
GS881E18CD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	SRAM					BGA-165				有		Tray		GS881E18CD							DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																							9 Mbit					165 mA, 200 mA	5.5 ns				512 k x 18																														SRAM
GS8662T20BD-450M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8 Weeks	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	表面贴装	有	450 MHz	+ 125 C	1.9 V	- 55 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	-55 °C	未说明	0.45 ns	125 °C	无	GS8662T20BD-450M	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73	Military grade	SRAM				BGA-165	YES		165	450 MHz		Tray		GS8662T20BD						3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			165	R-PBGA-B165			1.9 V		MILITARY	1.7 V				72 Mbit			SYNCHRONOUS						Pipelined	4 M x 18			1.4 mm	18		22 Bit	72 Mbit		75497472 bit	Military	PARALLEL				DDR SRAM						SRAM		15 mm	13 mm
GS8673ED36BK-675I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	12 Weeks	BGA	QDR	1.3500 V	1.3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	1.4 V	表面贴装	有	675 MHz	+ 100 C	1.4 V	- 40 C	8	1.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-IIIe	DDR	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	无	GS8673ED36BK-675I	1.35 V	HBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.81	Industrial grade	SRAM				BGA-260	YES		260	675/450 MHz	-40 to 85 °C	Tray		GS8673ED36BK						3A991.B.2.B	SigmaQuad-IIIe B4					8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			260	R-PBGA-B260			1.4 V			1.3 V				72 Mbit			SYNCHRONOUS		3.17 A				Pipelined	2 M x 36			2.3 mm	36		19 Bit	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL				DDR SRAM						SRAM		22 mm	14 mm
GS881Z18CD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1
GS8182T37BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8 Weeks	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182T37BGD-300	300 MHz	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.2	BGA					YES		165	LBGA, BGA165,11X15,40					e1	有				3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		1 mm	compliant			165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V							SYNCHRONOUS		0.455 mA					512KX36	3-STATE		1.4 mm	36					0.155 A	18874368 bit		PARALLEL	COMMON			DDR SRAM							1.7 V											15 mm	13 mm
GS81302T37E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade	SRAM					BGA-165				400 MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS81302T37E							SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage												165											144 Mbit	1				1.005 A				Pipelined	4 M x 36						21 Bit	144 Mbit			Industrial																				SRAM
GS88236CD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	SRAM					BGA-165				有		Tray		GS88236CD							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																							9 Mbit					175 mA, 215 mA	5.5 ns				256 k x 36																														SRAM
GS881Z36CD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	SRAM					BGA-165				有		Tray		GS881Z36CD							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																							9 Mbit					155 mA, 195 mA	5.5 ns				256 k x 36																														SRAM
GS881Z36CGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	SRAM					BGA-165				有		Tray		GS881Z36CGD							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																							9 Mbit					175 mA, 215 mA	5.5 ns				256 k x 36																														SRAM
GS88236CD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1
GS8673ET18BGK-550	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	12 Weeks	BGA	DDR	1.3500 V	1.25 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.4 V	表面贴装	有	550 MHz	+ 85 C	1.4 V	0 C	8	1.25 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-IIIe	Details	DDR-III	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.4 ns	85 °C	有	GS8673ET18BGK-550	1.3 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.72	Commercial grade	SRAM				BGA-260	YES		260	550/375 MHz	0 to 70 °C	Tray		GS8673ET18BGK						3A991.B.2.B	SigmaDDR-IIIe B2				IT ALSO OPERATES AT 1.35 V TYPICAL VOLTAGE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant			260	R-PBGA-B260			1.4 V		OTHER	1.25 V				72 Mbit			SYNCHRONOUS		1.49 A				Pipelined	4 M x 18			2.3 mm	18			72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL				DDR SRAM					SRAM			22 mm	14 mm
GS8182T19BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1
GS81302T36GE-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade	SRAM					BGA-165				375 MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS81302T36GE							SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage												165											144 Mbit	2				950 mA				Pipelined	4 M x 36						22 Bit	144 Mbit			Industrial																				SRAM
IS25LP128-JLLE	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8 Weeks		表面贴装	表面贴装	8-WDFN Exposed Pad		8		Non-Volatile	-40°C~105°C TA	Tray			e3		活跃	3 (168 Hours)	8	3A991.B.1.A		Tin (Sn)							2.3V~3.6V	DUAL		260	1	3V	1.27mm		10					3V	3.6V				SPI			128Mb 16M x 8			SYNCHRONOUS	133MHz		7 ns	FLASH	SPI - Quad I/O, QPI						1	1ms	24b		128 Mb				SERIAL					2.7V												256B			800μm						ROHS3 Compliant
25AA020A-I/ST	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	6 Weeks		表面贴装	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)		8		Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tube	2007		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99		Matte Tin (Sn)			DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES				1.8V~5.5V	DUAL		260	1	2.5V	0.65mm		40	25AA020A	8			5V					SPI, Serial			2Kb 256 x 8		5mA		10MHz		50 ns	EEPROM	SPI						8	5ms			2 kb	0.000001A									SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5ms	200	HARDWARE/SOFTWARE											1.2mm	4.4mm	3mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
CAT93C86VI-G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	20 Weeks	Industrial grade	Gold	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		8		Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tube	2008		e4	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8										1.8V~5.5V	DUAL		260	1	5V	1.27mm			CAT93C86	8			5V					Serial			16Kb 2K x 8 1K x 16		3mA		3MHz		1 μs	EEPROM	SPI		16KX1		无卤素						16 kb	0.00001A									MICROWIRE	1000000 Write/Erase Cycles		100	HARDWARE/SOFTWARE										1.5mm		5mm	4mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
TC58NVG1S3ETAI0	Toshiba	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1			表面贴装		TFSOP		48		EEPROM, NAND, SLC NAND			2012				Discontinued		48	3A991.B.1.A			85°C	-40°C		8542.32.00.51				DUAL	鸥翼		1	3.3V	0.5mm				48			3.3V			INDUSTRIAL		Parallel, Serial	3.6V	2.7V	2GB		30mA				25 ns				256MX8						1b		2 Gb	0.00005A					Synchronous	8b										NO	NO	2K	128K	2.1kB	YES		1mm		18.4mm	12.4mm	无		符合RoHS标准
MX25L25645GMI-10G	Macronix	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1				表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)				Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tube	2005	MXSMIO™	e3		不用于新设计	3 (168 Hours)				Tin (Sn)							2.7V~3.6V			260					40													256Mb 32M x 8				120MHz			FLASH	SPI							30μs, 750μs																																	符合RoHS标准
93AA66T-I/SN	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	29 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		8		Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2004		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99					1000K ERASE/WRITE CYCLE; 200 YEAR DATA RETENTION				1.8V~5.5V	DUAL		260	1	3V	1.27mm		40	93AA66	8				5.5V				Serial			4Kb 512 x 8 256 x 16		2mA		2MHz		2 μs	EEPROM	SPI		256X16				16	10ms			4 kb										MICROWIRE		10ms				8									1.75mm	4.9mm	3.9mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
CY7C1372D-167AXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1			表面贴装	表面贴装	100-LQFP		100		Volatile	0°C~70°C TA	Tray	2011	NoBL™	e3	yes	Obsolete	3 (168 Hours)	100			Matte Tin (Sn)			流水线结构				3.135V~3.6V	QUAD		260	1	3.3V	0.65mm		20	CY7C1372	100			3.3V	3.6V			3.135V				18Mb 1M x 18	2	275mA		167MHz		3.4ns	SRAM	Parallel		1MX18	3-STATE					20b		18 Mb	0.07A				COMMON	Synchronous	18b								3.14V										1.6mm		14mm	无		ROHS3 Compliant	无铅

存储器 (6000)