类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 产品类别 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | CY7C1460KV33-200AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 100-LQFP | YES | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | NoBL™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.B | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | 3.135V~3.6V | QUAD | 1 | 3.3V | 0.65mm | R-PQFP-G100 | 3.6V | 3.135V | 36Mb 1M x 36 | 200MHz | 3.2ns | SRAM | Parallel | 1MX36 | 36 | 37748736 bit | 1.6mm | 20mm | 14mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT24C02C-MAHM-E | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1997 | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | ALSO OPERATES 1.7V AT 400 KHZ | 8542.32.00.51 | 1.7V~5.5V | DUAL | 1 | 2.5V | 0.5mm | AT24C02 | R-PDSO-N8 | 5.5V | 1.7V | 2Kb 256 x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 550ns | EEPROM | I2C | 256X8 | 8 | 5ms | 2048 bit | SERIAL | I2C | 5ms | 0.6mm | 3mm | 2mm | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62148EV30LL-45BVI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 36-VFBGA | 36 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | MoBL® | e0 | no | 活跃 | 3 (168 Hours) | 36 | 锡铅 | 2.2V~3.6V | BOTTOM | 220 | 1 | 3V | 0.75mm | CY62148 | 36 | 3V | 3.6V | 2.2V | 4Mb 512K x 8 | 1 | 20mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 45ns | 19b | 4 Mb | 0.000007A | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 8mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C027-20AXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 1997 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 5V | 512Kb 32K x 16 | 2 | 290mA | SRAM | Parallel | 16 | 20ns | 30b | 512 kb | Asynchronous | 16b | 1.6mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS62WV5128DBLL-45HLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.465, 11.80mm Width) | YES | 32 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | Discontinued | 3 (168 Hours) | 32 | 2.3V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 0.5mm | 32 | 不合格 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.3V | 4Mb 512K x 8 | 1 | 20mA | 15mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 45ns | 19b | 4 Mb | 0.000007A | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M24C02-FMN6P | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 1.27mm | 30 | M24C02 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 1.8/5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 2Kb 256 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 256X8 | 8 | 5ms | 0.000001A | 2048 bit | I2C | 4000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25XE021A-MAHN-T | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Cut Tape (CT) | 2013 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.65V~3.6V | DUAL | 1 | 1.8V | 0.5mm | R-PDSO-N8 | 3.6V | 1.65V | SPI, Serial | 2Mb 256K x 8 | SYNCHRONOUS | 70MHz | 7.5 ns | FLASH | SPI | 2MX1 | 1 | 8μs, 5ms | 16 Mb | 1.8V | 256B | 0.6mm | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BRCF016GWZ-3E2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 4-XFBGA, CSPBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Cut Tape (CT) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | 1.7V~5.5V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 0.4mm | 未说明 | R-PBGA-B4 | 5.5V | 1.7V | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | EEPROM | I2C | 2KX8 | 8 | 5ms | 16384 bit | SERIAL | I2C | 5ms | 0.35mm | 0.86mm | 0.84mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX29GL256FUT2I-11G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | MX29GL | 活跃 | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | 56 | R-PDSO-G56 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 256Mb 32M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 16MX16 | 16 | 110ns | 256 Mb | 0.00001A | 110 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 256 | 128K | 8/16words | YES | YES | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL01GS10FAI010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 1mm | 3.6V | 2.7V | 1Gb 64M x 16 | ASYNCHRONOUS | 100ns | FLASH | Parallel | 128MX8 | 8 | 60ns | 1073741824 bit | 3V | 1 | 1.4mm | 13mm | 11mm | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT28HC256E-90SU-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 1997 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 28 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 1.27mm | R-PDSO-G28 | 5.5V | 4.5V | 256Kb 32K x 8 | ASYNCHRONOUS | 90ns | EEPROM | Parallel | 32KX8 | 8 | 10ms | 262144 bit | 5V | 10ms | 2.65mm | 17.9mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MR25H40CDF | Everspin Technologies Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2014 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 600mW | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 1.27mm | 40 | 8 | 3.6V | 3.3V | 3V | SPI, Serial | 4Mb 512K x 8 | 42mA | 40MHz | 9 ns | RAM | SPI | 8b | 8 | 4 Mb | 0.0004A | 8b | 0.9mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43R86400D-6TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | 66 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 66 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | 2.3V~2.7V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 66 | 不合格 | 2.5V | 2.7V | 2.3V | 512Mb 64M x 8 | 1 | 370mA | SYNCHRONOUS | 166MHz | 700ps | DRAM | Parallel | 8b | 64MX8 | 3-STATE | 8 | 15ns | 15b | 512 Mb | 0.025A | COMMON | 8192 | 248 | 248 | 1.2mm | 22.22mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL128SAGBHVB00 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2016 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | 3A991.B.1.A | ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | R-PBGA-B24 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 128Mb 16M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | 0.1mA | FLASH | SPI - Quad I/O | 32MX4 | 4 | 0.0003A | 134217728 bit | SERIAL | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 500ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | BOTTOM | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S32200E-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 90-TFBGA | 90 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e1 | yes | Obsolete | 2 (1 Year) | 90 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | 3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 40 | 90 | 3.3V | 3.6V | 3V | 64Mb 2M x 32 | 1 | 160mA | 166MHz | 5.5ns | DRAM | Parallel | 32b | 2MX32 | 3-STATE | 32 | 13b | 64 Mb | 0.002A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 13mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 11LC080T-E/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 40 | 11LC080 | 8 | 5V | Serial | 8Kb 1K x 8 | 5mA | 100kHz | EEPROM | 单线 | 8 | 5ms | 8 kb | 0.000005A | 1-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43DR16320C-25DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 84-TFBGA | YES | 84 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | 10 | 1.9V | 1.7V | 512Mb 32M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 400MHz | 400ps | DRAM | Parallel | 16b | 32MX16 | 16 | 15ns | 536870912 bit | 1.2mm | 12.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M95160-DFDW6TP | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.7V~5.5V | DUAL | 1 | 1.8V | 0.65mm | M95160 | 5.5V | 1.7V | SPI, Serial | 16Kb 2K x 8 | 20MHz | 80 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 16 kb | SPI | 5ms | 1.05mm | 4.5mm | 3.1mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAT25AM02C8CTR | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 25 Weeks | Commercial grade | Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-XFBGA, WLCSP | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | e2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Tin/Silver (Sn/Ag) | 1.6V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 2.5V | 未说明 | R-PBGA-B8 | 3.6V | 1.6V | SPI, Serial | 2Mb 256K x 8 | SYNCHRONOUS | 5MHz | 75 ns | EEPROM | SPI | 256KX16 | 16 | 10ms | 2 Mb | SPI | 10ms | 0.37mm | 3.12mm | 2.04mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL256P10TFI013 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 56 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | GL-P | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 256Mb 32M x 8 | 110mA | FLASH | Parallel | 8b | 1 | 100ns | 256 Mb | 0.000005A | 100 ns | Asynchronous | 3V | 8 | YES | YES | YES | 256 | 128K | 8/16words | YES | YES | 1.2mm | 18.4mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C09099V-12AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2000 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | Matte Tin (Sn) | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | 3V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 30 | CY7C09099 | 100 | 3.3V | 3.6V | 3V | 1Mb 128K x 8 | 2 | 205mA | 50MHz | 12ns | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 34b | 1 Mb | COMMON | Synchronous | 8b | 3V | 1.6mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C09449PVA-AC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Lead, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 160-LQFP | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1997 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 160 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 3V~3.6V | QUAD | 1 | 3.3V | 0.5mm | CY7C09449 | 160 | S-PQFP-G160 | 3.3V | 3.6V | 3V | 128Kb 4K x 32 | 50MHz | SRAM | Parallel | 4KX32 | 32 | 128 kb | 10 ns | 1.6mm | 24mm | 24mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1LP5256ESP-7SR#B0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 28-SOIC (0.330, 8.40mm Width) | 28 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2011 | e2 | yes | Obsolete | 2 (1 Year) | 28 | EAR99 | Tin/Copper (Sn/Cu) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1MHz | R1LP5256E | 28 | 5V | 5V | 256Kb 32K x 8 | 1 | 35mA | SRAM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 8 | 70ns | 15b | 256 kb | 0.000002A | 70 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | GS88132CGT-150I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 150 MHz | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 72 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | Details | SDR | LQFP, | FLATPACK, LOW PROFILE | 256000 | UNSPECIFIED | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | GS88132CGT-150I | 262144 words | 3.3 V | LQFP | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.29 | QFP | SRAM | TQFP-100 | YES | 100 | 有 | Tray | GS88132CGT | 3A991.B.2.B | Pipeline/Flow Through | ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY, FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 0.65 mm | compliant | 100 | R-XQFP-G100 | 不合格 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 3 V | 9 Mbit | SYNCHRONOUS | 150 mA, 160 mA | 7.5 ns | 256 k x 36 | 1.6 mm | 32 | 8388608 bit | SERIAL | 缓存SRAM | SRAM | 20 mm | 14 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS816132DD-250 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 250 MHz | + 70 C | 3.6 V | 0 C | 36 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | N | SDR | SRAM | BGA-165 | 有 | Tray | GS816132DD | Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 230 mA, 250 mA | 5.5 ns | 512 k x 32 | SRAM |