类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 通用闪存接口 | 产品类别 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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 | 11LC020T-E/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 11LC020 | 8 | 5V | Serial | 2Kb 256 x 8 | 5mA | 100kHz | EEPROM | 单线 | 8 | 5ms | 2 kb | 0.000005A | 1-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 1.1mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | GS842Z36CB-250 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 250 MHz | + 70 C | 3.6 V | 0 C | 84 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | NBT SRAM | SDR | SRAM | BGA-119 | 有 | Tray | GS842Z36CB | NBT Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 4 Mbit | 155 mA, 195 mA | 5.5 ns | 128 k x 36 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1420KV18-250BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e0 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 235 | 1 | 1.8V | 20 | CY7C1420 | 165 | 1.8V | 36Mb 1M x 36 | 1 | 490mA | 250MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 20b | 36 Mb | 0.26A | COMMON | Synchronous | 36b | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8182S18BD-200 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 200 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 18 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaSIO DDR-II | DDR | LBGA, | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 1000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 0.45 ns | 70 °C | 无 | GS8182S18BD-200 | 1048576 words | 1.8 V | LBGA | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.15 | BGA | SRAM | BGA-165 | YES | 165 | 有 | Tray | GS8182S18BD | e0 | 无 | 3A991.B.2.B | SigmaSIO DDR-II | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1 mm | not_compliant | 165 | R-PBGA-B165 | 不合格 | 1.9 V | COMMERCIAL | 1.7 V | 18 Mbit | SYNCHRONOUS | 355 mA | 1 M x 18 | 1.4 mm | 18 | 18874368 bit | PARALLEL | DDR SRAM | SRAM | 15 mm | 13 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT93C56-10PI-1.8 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT93C56-10PI-2.7 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C026AV-20AXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 100-LQFP | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.41 | 3V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | unknown | 20GHz | 20 | CY7C026 | 100 | S-PQFP-G100 | 不合格 | 3.6V | 3.3V | 3V | 256Kb 16K x 16 | 2 | SRAM | Parallel | 16KX16 | 3-STATE | 16 | 20ns | 0.00005A | 262144 bit | 20 ns | COMMON | 2V | 1.6mm | 14mm | 14mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT28EW01GABA1HPC-0SIT | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 30 | R-PBGA-B64 | 3.6V | 2.7V | 1Gb 128M x 8 64M x 16 | ASYNCHRONOUS | 95ns | FLASH | Parallel | 64MX16 | 16 | 60ns | 1073741824 bit | 3V | 1.4mm | 13mm | 11mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL512SAGBHVC10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | 24 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2015 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 1mm | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 512Mb 64M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | 0.061mA | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX8 | 8 | 0.0001A | 512753664 bit | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 1 | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT24C08D-MAHM-E | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1997 | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | ALSO OPERATES 1.7V AT 100 KHZ | 8542.32.00.51 | 1.7V~3.6V | DUAL | 1 | 1.8V | 0.5mm | AT24C08 | R-PDSO-N8 | 3.6V | 1.7V | 8Kb 1K x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 4.5μs | EEPROM | I2C | 1KX8 | 8 | 5ms | 8192 bit | SERIAL | I2C | 5ms | 0.6mm | 3mm | 2mm | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX29GL256ELXFI-90Q | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA, CSPBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | MX29GL | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 64 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3.3V | 2mm | unknown | 40 | R-PBGA-B64 | 不合格 | 3.6V | 3.3V | 3V | 256Mb 32M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 256MX16 | 16 | 90ns | 256 Mb | 0.0001A | 90 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 256 | 128K | 8/16words | YES | YES | 1.4mm | 11mm | 13mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS64WV6416BLL-15TLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | 44-TSOP II | Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 2 (1 Year) | 125°C | -40°C | 2.5V~3.6V | 3.3V | Parallel | 3.6V | 2.5V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 50mA | 15ns | SRAM | Parallel | 15ns | 16b | 1 Mb | Asynchronous | 16b | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39WF400B-70-4C-B3KE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 48-TFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2000 | SST39 MPF™ | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 8542.32.00.51 | 1.65V~1.95V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | 40 | SST39WF400B | 48 | 1.8V | 1.95V | 1.65V | 4Mb 256K x 16 | 15mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 256KX16 | 16 | 40μs | 18b | 4 Mb | 0.00004A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 128 | 2K | YES | 1.2mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1568KV18-550BZXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 30 | CY7C1568 | 165 | 不合格 | 1.8V | 72Mb 4M x 18 | 1 | 760mA | 550MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 21b | 72 Mb | 0.38A | COMMON | Synchronous | 18b | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M93C66-MN6P | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 30 | M93C66 | 8 | 5V | 5V | Serial | 4Kb 512 x 8 256 x 16 | 2mA | 2MHz | 200 ns | EEPROM | SPI | 256X16 | 16 | 5ms | 4 kb | 0.00005A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | SOFTWARE | 8 | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93C46B-I/MSG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C2663KV18-450BZI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2001 | e0 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.8V | 1mm | 30 | CY7C2663 | 165 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 144Mb 8M x 18 | 2 | 940mA | 450MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 8MX18 | 3-STATE | 18 | 21b | 144 Mb | 0.46A | SEPARATE | Synchronous | 18b | 1.7V | 1.4mm | 17mm | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CYDM128B16-55BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-VFBGA | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2005 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 2.7V~3.3V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 0.5mm | 20 | CYDM | 100 | 1.8V | 1.9V | 1.8/3V | 1.7V | 128Kb 8K x 16 | 2 | 25mA | SRAM | Parallel | 8KX16 | 3-STATE | 16 | 55ns | 26b | 128 kb | 0.000006A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 1.7V | 1mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W631GU6MB-11 | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 96-VFBGA | YES | Volatile | 0°C~95°C TC | Tray | 2017 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 96 | AUTO/SELF REFRESH | 1.283V~1.45V | BOTTOM | 1 | 1.35V | 0.8mm | R-PBGA-B96 | 1.45V | 1.283V | 1Gb 64M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 933MHz | 20ns | DRAM | Parallel | 64MX16 | 16 | 1073741824 bit | 1mm | 13mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL128SDPMFIG00 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 1.27mm | R-PDSO-G16 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 128Mb 16M x 8 | 66MHz | 0.1mA | FLASH | SPI - Quad I/O | 16MX8 | 8 | 32b | 128 Mb | 0.0001A | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 500ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 2.65mm | 10.3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C199CN-15PXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 28-DIP (0.300, 7.62mm) | 28 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2003 | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 2.54mm | 1MHz | CY7C199 | 28 | 5V | 5V | 256Kb 32K x 8 | 1 | 80mA | SRAM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 15ns | 15b | 256 kb | 0.0005A | COMMON | Asynchronous | 8b | 3.55mm | 35.18mm | 7.49mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL512SDSMFBG10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | Automotive, AEC-Q100, FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | ITS ALSO CONFIGURABLE AS 512MX1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G16 | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 512Mb 64M x 8 | SYNCHRONOUS | 80MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX8 | 8 | 512753664 bit | AEC-Q100; TS 16949 | 3V | 1 | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX29LV160DBXEI-70G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 48-LFBGA, CSPBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | MX29LV | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 0.8mm | 未说明 | 48 | R-PBGA-B48 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 16Mb 2M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 1MX16 | 16 | 70ns | 16 Mb | 0.000015A | 70 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 12131 | 16K8K32K64K | YES | BOTTOM | YES | 1.3mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W25Q32FWSSIG | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2016 | SpiFlash® | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | Tin (Sn) | 1.65V~1.95V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 未说明 | S-PDSO-G8 | 不合格 | 1.95V | 1.8V | 1.65V | SPI, Serial | 32Mb 4M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 4MX8 | 8 | 60μs, 5ms | 0.00002A | 33554432 bit | 1.8V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 1 | 2.16mm | 5.23mm | 5.23mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FM25V02-DG | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | F-RAM™ | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | PURE TIN | 2V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.95mm | FM25V02 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2V | SPI, Serial | 256Kb 32K x 8 | 2.5mA | 40MHz | 9 ns | FRAM | SPI | 8b | 8 | 256 kb | 0.00015A | 8b | 4.5mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 |