![CYDM128B16-55BVXI](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-cydm064b1655bvxi-1167.jpg)
CYDM128B16-55BVXI
100-VFBGA
IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
100-VFBGA
引脚数
100
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2005
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 2.7V~3.3V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
基本部件号
CYDM
引脚数量
100
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.8/3V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
128Kb 8K x 16
端口的数量
2
电源电流
25mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
8KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
地址总线宽度
26b
密度
128 kb
待机电流-最大值
0.000006A
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
待机电压-最小值
1.7V
长度
6mm
座位高度(最大)
1mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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CYDM128B16-55BVXI PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN封装 :