类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 逻辑功能 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 时间格式 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 反向引脚排列 | 自我刷新 | 产品类别 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | S25FS128SAGNFI101 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | 8 | 10.886217mg | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2013 | FS-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | 1.7V~2V | DUAL | 1 | 1.8V | 1.27mm | 1.8V | 2V | 1.7V | SPI, Serial | 128Mb 16M x 8 | 65mA | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 8b | 32MX4 | 4 | 128 Mb | 2 | 6mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT24C04AN-10SI-1.8 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1.8V~5.5V | AT24C04 | 4Kb 512 x 8 | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 5ms | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS66WV51216DBLL-55TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | Discontinued | 3 (168 Hours) | 44 | 2.5V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 0.8mm | 44 | 3.3V | 3.6V | 2.5V | 8Mb 512K x 16 | 1 | 10mA | PSRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 55ns | 19b | 8 Mb | 18MHz | 55 ns | COMMON | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | TNETX15VEPGE | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 德州仪器 | Bulk | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL128SAGBHIA13 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 24-TBGA | 24 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | 3A991.B.1.A | ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 不合格 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 128Mb 16M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | 0.1mA | 8 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 32MX4 | 4 | 32b | 128 Mb | 0.0001A | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 500ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 1.2mm | 8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL032P0XMFB003 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | 16 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | Automotive, AEC-Q100, FL-P | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 32Mb 4M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 32MX1 | 1 | 5μs, 3ms | 33554432 bit | 3V | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | U62256AS2K07LLG1 | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 28-SOIC (0.330, 8.38mm Width) | YES | 28 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2011 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 28 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 4.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | 28 | 不合格 | 5V | 256Kb 32K x 8 | SRAM | Parallel | 32KX8 | 8 | 70ns | 256 kb | 70 ns | 2.54mm | 18.1mm | 8.75mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62136FV30LL-55ZSXET | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2001 | MoBL® | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | CY62136 | 不合格 | 3V | 3.6V | 2.2V | 2Mb 128K x 16 | 1 | 25mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 55ns | 17b | 2 Mb | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL164K0XMFV010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2015 | FL1-K | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | ALSO CONFIGURABLE AS 64M X 1 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 108MHz | 0.025mA | 7 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 16MX4 | 4 | 3ms | 24b | 64 Mb | 0.000005A | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 256B | 2.159mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP016D-JNLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 2 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tray | Automotive, AEC-Q100 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | 2.3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 10 | R-PDSO-G8 | 3.6V | 2.3V | 16Mb 2M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 2MX8 | 8 | 800μs | 16777216 bit | SERIAL | 3V | 1 | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFSA8192Q1BR4TO-I-DT-226-STD | Swissbit | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1021B-15VXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2006 | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 44 | 3A991.B.2.B | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 8542.32.00.41 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | unknown | 15GHz | 20 | CY7C1021 | 44 | 不合格 | 5.5V | 5V | 4.5V | 1Mb 64K x 16 | SRAM | Parallel | 64KX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 0.0005A | 1048576 bit | 15 ns | COMMON | 4.5V | 3.7592mm | 28.575mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064N90FAI020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2017 | GL-N | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 240 | 1 | 3V | 1mm | 30 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | 50mA | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 90ns | 64 Mb | 0.000005A | 90 ns | Asynchronous | 3V | 8 | YES | YES | YES | 128 | 64K | 8/16words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1.4mm | 13mm | 11mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-9161708MXA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tray | Volatile | 5962-9161708 | 8000 | Compliant | This product may require additional documentation to export from the United States. | + 125 C | 5.5 V | - 55 C | 3 | 4.5 V | SMD/SMT | Parallel | Renesas Electronics | Renesas Electronics | PGA, PGA84M,11X11 | 网格排列 | 8000 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PGA84M,11X11 | -55 °C | 35 ns | 125 °C | 5962-9161708MXA | 5 V | PGA | SQUARE | Obsolete | TELEDYNE E2V (UK) LTD | 5.65 | PGA | Military grade | SRAM | 通孔 | 通孔 | 84-BPGA | NO | 84 | 84-PGA (27.94x27.94) | 84 | Renesas Electronics America Inc | 活跃 | -55°C ~ 125°C (TA) | Tray | - | e0 | 3A001.A.2.C | Asynchronous | 锡铅 | 125 °C | -55 °C | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | 4.5V ~ 5.5V | PERPENDICULAR | PIN/PEG | 1 | 2.54 mm | compliant | 84 | S-CPGA-P84 | Qualified | 5 V | 5.5 V | 5 V | MILITARY | 4.5 V | Parallel | 5.5 V | 4.5 V | 128Kbit | 2 | 250 mA | ASYNCHRONOUS | 0.34 mA | 35 ns | SRAM | Parallel | 8 k x 16 | 3-STATE | 5.207 mm | 16 | 35ns | 26 b | 128 kb | 0.004 A | 131072 bit | MIL-STD-883 | PARALLEL | COMMON | Asynchronous | 16 b | DUAL-PORT SRAM | 2 V | SRAM | 8K x 16 | 3.68 mm | 27.9 mm | 27.9 mm | 3.68 mm | 无 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1LP0108ESN-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 32-SOIC (0.450, 11.40mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2013 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | 32 | R-PDSO-G32 | 不合格 | 5.5V | 5V | 4.5V | 1Mb 128K x 8 | ASYNCHRONOUS | 0.035mA | SRAM | Parallel | 128KX8 | 3-STATE | 8 | 55ns | 0.000002A | 1048576 bit | 55 ns | COMMON | 2V | 3.05mm | 20.75mm | 11.4mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1LV1616RBG-7SI#B0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2007 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 48 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 0.75mm | R1LV1616R | 48 | 3V | 3.6V | 2.7V | 16Mb 1M x 16 | 1 | 40mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 70ns | 20b | 16 Mb | 0.000006A | 70 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 2.7V | 8 | 8.5mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY14B108L-ZS20XIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | 44-TSOP II | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2007 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 2.7V~3.6V | CY14B108 | 3V | Parallel | 3.6V | 2.7V | 8Mb 1M x 8 | 75mA | 20ns | Clock | NVSRAM | Parallel | 8b | 20ns | 8 Mb | 8b | HH:MM:SS | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LE25U40PCMC-AH | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Tin (Sn) | 2.3V~3.6V | DUAL | 1 | 2.5V | 1.27mm | R-PDSO-G8 | 3.6V | 2.3V | SPI, Serial | 4Mb 512K x 8 | SYNCHRONOUS | 30MHz | FLASH | SPI | 512KX8 | 8 | 5ms | 4194304 bit | 2.7V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25L040FJ-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Copper, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2005 | e2 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 锡铜 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 10 | BR25L040 | 8 | 不合格 | 5V | SPI, Serial | 4Kb 512 x 8 | SYNCHRONOUS | 5MHz | 5 μs | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 4 kb | 0.000002A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1.65mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S70FL01GSAGBHIC10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 1mm | R-PBGA-B24 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 1Gb 128M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 128MX8 | 8 | 32b | 1 Gb | 3V | 512B | 1.2mm | 8mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R1WV3216RBG-7SI#B0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | 48-FBGA (7.5x8.5) | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 2.7V~3.6V | R1WV3216 | 3V | Parallel | 3.6V | 2.7V | 32Mb 2M x 16 | 1 | 55mA | 70ns | SRAM | Parallel | 70ns | 21b | 32 Mb | Asynchronous | 16b | 800μm | 7.5mm | 8.5mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL132K0XMFIQ13 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | FL1-K | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | ALSO CONFIGURABLE AS 32M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | S-PDSO-G8 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 32Mb 4M x 8 | SYNCHRONOUS | 108MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 8MX4 | 4 | 3ms | 24b | 32 Mb | 3V | 2 | 256B | 2.159mm | 5.283mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S16400J-7BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Commercial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TFBGA | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3.3V | 0.8mm | 54 | 3.3V | 3.6V | 3V | 64Mb 4M x 16 | 1 | 90mA | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 4MX16 | 3-STATE | 16 | 14b | 64 Mb | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | NO | YES | 1.2mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LE24LA322CSTL2-TFM-E | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2016 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 1.7V~3.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | 400kHz | EEPROM | I2C | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 71V416L12BEGI | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48-CABGA (9x9) | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | IDT71V416 | 4Mb 256K x 16 | 12ns | SRAM | Parallel | 12ns | ROHS3 Compliant |