包装/外壳

84-BPGA

安装类型

Through Hole

底架

Through Hole

表面安装

NO

引脚数

84

供应商器件包装

84-PGA (27.94x27.94)

终端数量

84

厂商

Renesas Electronics America Inc

Active

Tray

Volatile

5962-9161708

8000

Compliant

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+ 125 C

5.5 V

- 55 C

3

4.5 V

SMD/SMT

Parallel

Renesas Electronics

Renesas Electronics

PGA, PGA84M,11X11

GRID ARRAY

8000

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

PGA84M,11X11

-55 °C

35 ns

125 °C

5962-9161708MXA

5 V

PGA

SQUARE

Obsolete

TELEDYNE E2V (UK) LTD

5.65

PGA

Military grade

系列

-

操作温度

-55°C ~ 125°C (TA)

包装

Tray

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

类型

Asynchronous

端子表面处理

TIN LEAD

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

PERPENDICULAR

终端形式

PIN/PEG

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

84

JESD-30代码

S-CPGA-P84

资历状况

Qualified

工作电源电压

5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

界面

Parallel

最大电源电压

5.5 V

最小电源电压

4.5 V

内存大小

128Kbit

端口的数量

2

电源电流

250 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.34 mA

访问时间

35 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

8 k x 16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.207 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

35ns

地址总线宽度

26 b

产品类别

SRAM

密度

128 kb

待机电流-最大值

0.004 A

记忆密度

131072 bit

筛选水平

MIL-STD-883

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16 b

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

2 V

产品类别

SRAM

组织的记忆

8K x 16

宽度

27.9 mm

长度

27.9 mm

高度

3.68 mm

器件厚度

3.68 mm

辐射硬化

No

无铅

Contains Lead