类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 产品类别 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | MT25QL512ABB8E12-0AUT | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Bulk | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | R-PBGA-B24 | 3.6V | 2.7V | 512Mb 64M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI | 64MX8 | 8 | 8ms, 2.8ms | 536870912 bit | SERIAL | 3V | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL064LABNFI010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | FL-L | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Matte Tin (Sn) | IT ALSO HAVE X1 MEMORY WIDTH | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.8mm | 未说明 | S-PDSO-N8 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 108MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 16MX4 | 4 | 67108864 bit | SERIAL | 3V | 2 | 0.6mm | 4mm | 4mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | AT24C04N-10SU-1.8 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 | 小概要 | 1 | 512 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.25 | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | AT24C04N-10SU-1.8 | 0.1 MHz | 512 words | 2.5 V | SOP | RECTANGULAR | Atmel Corporation | Obsolete | ATMEL CORP | 5.66 | SOIC | 表面贴装 | YES | 8 | 8 | Compliant | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 85 °C | -40 °C | DATA RETENTION 100 YEARS; 1 MILLION ENDURANCE WRITE CYCLES | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 1.27 mm | unknown | 100 kHz | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5 V | 5.5 V | 2/5 V | INDUSTRIAL | 1.8 V | 2-Wire, Serial | 5.5 V | 1.8 V | 512 B | 3 mA | SYNCHRONOUS | 0.003 mA | 4.5 µs | 512X8 | 1.75 mm | 8 | 4 kb | 0.000003 A | 4096 bit | 100 kHz | SERIAL | EEPROM | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 100 | HARDWARE | 1010DDMR | 4.9 mm | 3.9 mm | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1020BN-15ZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2006 | e4 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.8mm | unknown | 20 | CY7C1020 | 44 | 不合格 | 5V | 5V | 512Kb 32K x 16 | 1 | 130mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 15ns | 15b | 512 kb | 0.02A | COMMON | Asynchronous | 16b | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W631GG6KB15I | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 96-TFBGA | 96 | Volatile | -40°C~95°C TC | Tray | 2008 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 96 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | 1.425V~1.575V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.5V | 0.8mm | 未说明 | 96 | 不合格 | 1.5V | 1.575V | 1.425V | 1Gb 64M x 16 | 1 | 240mA | SYNCHRONOUS | 667MHz | 20ns | DRAM | Parallel | 64MX16 | 3-STATE | 16 | 16b | 1 Gb | 0.014A | COMMON | 8192 | 8 | 8 | 1.2mm | 13mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LH28F320S3NS-L11 | Sharp Microelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SOP | YES | FLASH | Tube | 2003 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 56 | 70°C | 0°C | DUAL | 鸥翼 | 1 | 3V | 0.8mm | unknown | 110GHz | R-PDSO-G56 | 不合格 | 3.6V | COMMERCIAL | 2.7V | Parallel | 30.5MB | ASYNCHRONOUS | 110 ns | 2MX16 | 16 | 33554432 bit | 2.7V | 8 | 1.85mm | 23.7mm | 13.3mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST26WF040BT-104I/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | SST26 SQI® | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.65V~1.95V | DUAL | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 30 | SST26WF040 | 1.8V | 1.95V | 1.65V | SPI, Serial | 4Mb 512K x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 4MX1 | 1 | 1.5ms | 4 Mb | TS 16949 | 256B | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX30LF1208AA-TI | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | MX30LF | e3 | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 48 | Matte Tin (Sn) | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 40 | R-PDSO-G48 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 512Mb 64M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 64MX8 | 8 | 30ns | 512 Mb | 0.00005A | 25 ns | 3.3V | NO | NO | YES | 512 | 128K | 2Kwords | YES | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43R86400D-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 60-TFBGA | 60 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | 锡银铜 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | 2.3V~2.7V | BOTTOM | 260 | 1 | 2.5V | 1mm | 40 | 60 | 不合格 | 2.5V | 2.7V | 2.3V | 512Mb 64M x 8 | 1 | 370mA | SYNCHRONOUS | 166MHz | 700ps | DRAM | Parallel | 8b | 64MX8 | 3-STATE | 8 | 15ns | 15b | 512 Mb | 0.025A | COMMON | 8192 | 248 | 248 | 1.2mm | 13mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDT71V416S10PH | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44-TSOP II | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | Obsolete | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | IDT71V416 | 4Mb 256K x 16 | 10ns | SRAM | Parallel | 10ns | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL256LAGMFV000 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2016 | FL-L | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G16 | 3.6V | 2.7V | 256Mb 32M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 64MX4 | 4 | 268435456 bit | SERIAL | 3V | 2 | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FM1608B-SG | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | 28 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2013 | F-RAM™ | Obsolete | 3 (168 Hours) | 28 | 8542.32.00.71 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 1.27mm | FM1608B | 28 | 5V | 64Kb 8K x 8 | 15mA | 70 ns | FRAM | Parallel | 8b | 8KX8 | 8 | 130ns | 64 kb | 8b | 2.65mm | 17.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1357C-100AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2006 | NoBL™ | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | Matte Tin (Sn) | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | unknown | 20 | CY7C1357 | 100 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 9Mb 512K x 18 | 2 | 180mA | 100MHz | 7.5ns | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 19b | 9 Mb | 0.04A | COMMON | Synchronous | 18b | 3.14V | 1.6mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR93G66FV-3BGTE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Cut Tape (CT) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | ALSO AVAILABLE 2.5V OPERATES WITH 2MHZ AND 1.7V OPERATES WITH 1MHZ, SEATED HT-CALCULATED | 1.7V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 0.65mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 4.5V | 4Kb 256 x 16 | SYNCHRONOUS | 3MHz | EEPROM | SPI | 256X16 | 16 | 5ms | 4096 bit | SERIAL | 3-WIRE | 5ms | 1.35mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX29GL320ELXFI-70G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA, CSPBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | MX29GL | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | 锡银铜 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 30 | 64 | R-PBGA-B64 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 32Mb 4M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 2MX16 | 16 | 70ns | 32 Mb | 0.0001A | 70 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 64 | 64K | 8/16words | YES | YES | 1.4mm | 13mm | 11mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62128EV30LL-45ZAXA | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.465, 11.80mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | MoBL® | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2.2V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 30 | CY62128 | 32 | 3V | 3.6V | 2.2V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 16mA | 35mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 45ns | 17b | 1 Mb | 0.000003A | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61C256AL-12TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | YES | 28 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | 活跃 | 2 (1 Year) | 28 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.55mm | 40 | 28 | 5V | 256Kb 32K x 8 | 1 | 40mA | SRAM | Parallel | 32KX8 | 8 | 12ns | 15b | 256 kb | Asynchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FWZPIQ | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | SpiFlash® | 最后一次购买 | 8 | 1.65V~1.95V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 1.27mm | compliant | 未说明 | R-PDSO-N8 | 1.95V | 1.65V | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 64MX1 | 1 | 60μs, 5ms | 67108864 bit | SERIAL | 1.8V | 0.8mm | 6mm | 5mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS81302Q18GE-250 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | FBGA | QDR | 1.8000 V | Synchronous | 8 MWords | 18 Bit | 表面贴装 | 有 | 250 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 10 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II | Details | QDR-II | LBGA, | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 3 | 8000000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 0.45 ns | 70 °C | 有 | GS81302Q18GE-250 | 1.8 V | LBGA | RECTANGULAR | 不推荐 | GSI TECHNOLOGY | 7.61 | BGA | Commercial grade | SRAM | BGA-165 | YES | 165 | 250 MHz | 0 to 85 °C | Tray | GS81302Q18GE | e1 | 有 | 3A991.B.2.B | SigmaQuad-II | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 1 mm | compliant | 165 | R-PBGA-B165 | 不合格 | 1.9 V | COMMERCIAL | 1.7 V | 144 Mbit | 2 | SYNCHRONOUS | 1.06 A | 450 ps | Pipelined | 8 M x 18 | 1.5 mm | 18 | 22 Bit | 144 Mbit | 150994944 bit | Commercial | PARALLEL | DDR SRAM | SRAM | 17 mm | 15 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1049G-10VXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2003 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 36 | 3A991.B.2.A | Tin (Sn) | 8542.32.00.41 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 30 | CY7C1049 | R-PDSO-J36 | 5.5V | 4.5V | 4Mb 512K x 8 | SRAM | Parallel | 512KX8 | 8 | 10ns | 4194304 bit | 10 ns | 3.7592mm | 23.495mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43TR16256AL-15HBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 96-TFBGA | 96 | Volatile | -40°C~95°C TC | Tray | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 96 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | 1.283V~1.45V | BOTTOM | 1 | 1.35V | 0.8mm | 1.35V | 1.45V | 1.283V | 4Gb 256M x 16 | 1 | 180mA | SYNCHRONOUS | 667MHz | 20ns | DRAM | Parallel | 16b | 256MX16 | 16 | 15ns | 15b | 4 Gb | 1.2mm | 13mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S16320D-6TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Commercial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.8mm | 54 | 3.3V | 3.6V | 3V | 512Mb 32M x 16 | 1 | 200mA | 166MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 32MX16 | 3-STATE | 16 | 15b | 512 Mb | 0.004A | COMMON | 8192 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43R86400D-5BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 60-TFBGA | 60 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | 锡银铜 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | 2.5V~2.7V | BOTTOM | 260 | 1 | 2.6V | 1mm | 40 | 60 | 不合格 | 2.7V | 2.6V | 2.5V | 512Mb 64M x 8 | 1 | 430mA | SYNCHRONOUS | 200MHz | 700ps | DRAM | Parallel | 8b | 64MX8 | 3-STATE | 8 | 15ns | 15b | 512 Mb | 0.025A | COMMON | 8192 | 248 | 248 | 1.2mm | 13mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1019CV33-12ZXCT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-SOIC (0.400, 10.16mm Width) | 32 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2002 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | Matte Tin (Sn) | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | unknown | 12GHz | CY7C1019 | 32 | 不合格 | 3.3V | 3.63V | 2.97V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 75mA | SRAM | Parallel | 8 | 12ns | 17b | 1 Mb | Asynchronous | 8b | 20.95mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1LV5256ESA-5SI#B1 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2011 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 28 | 256Kb 32K x 8 | SRAM | Parallel | 55ns | ROHS3 Compliant |