![IS43R86400D-5BLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43r16160f6bli-8892.jpg)
IS43R86400D-5BLI
60-TFBGA
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.5V 60-Pin TFBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
2.5V~2.7V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.6V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
60
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源
2.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.5V
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
电源电流
430mA
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
15b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.025A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
248
交错突发长度
248
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
IS43R86400D-5BLI
60-TFBGA
60
Volatile
512 Mb
15 b
700ps
2.6 V
3 (168 Hours)
-
60-TFBGA
60
Volatile
512 Mb
15 b
700ps
2.5 V
3 (168 Hours)
-
60-TFBGA
60
Volatile
512 Mb
15 b
700ps
2.6 V
3 (168 Hours)
-
60-TFBGA
60
Volatile
512 Mb
15 b
5.5ns
1.8 V
3 (168 Hours)