类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 输出启用 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 通用闪存接口 | 反向引脚排列 | 产品类别 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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.png) | GS880F18CGT-6.5I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | TQFP | SDR | 2.5, 3.3 V | 2.3, 3 V | Synchronous | 512 kWords | 18 Bit | 2.7, 3.6 V | 表面贴装 | 有 | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 72 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | Details | SDR | LQFP, QFP100,.63X.87 | FLATPACK, LOW PROFILE | 3 | 512000 | PLASTIC/EPOXY | QFP100,.63X.87 | -40 °C | 未说明 | 6.5 ns | 85 °C | 有 | GS880F18CGT-6.5I | 153 MHz | 2.5 V | LQFP | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.36 | QFP | Industrial grade | SRAM | TQFP-100 | YES | 100 | 153.8 MHz | -40 to 85 °C | Tray | GS880F18CGT | e3 | 有 | 3A991.B.2.B | 流过 | 纯哑光锡 | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.65 mm | compliant | 100 | R-PQFP-G100 | 不合格 | 2.7 V | 2.5/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.3 V | 9 Mbit | 2 | SYNCHRONOUS | 150 mA | 6.5 ns | Flow-Through | 512 k x 18 | 3-STATE | 1.6 mm | 18 | 18 Bit | 9 Mbit | 0.045 A | 9437184 bit | Industrial | PARALLEL | COMMON | 缓存SRAM | 2.3 V | SRAM | 20 mm | 14 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT49LV1024A-45VL | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT49LV1024A-45VC | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28C256F-30FM/883 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C057V-15AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 144-LQFP | 144 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1997 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 144 | Matte Tin (Sn) | AUTOMATIC POWER-DOWN | 3V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 15GHz | 30 | CY7C057 | 144 | 3.3V | 3.465V | 3.135V | 1.152Mb 32K x 36 | 2 | 360mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 15ns | 30b | 1.1 Mb | 0.00005A | 15 ns | COMMON | Asynchronous | 36b | 2V | 1.6mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX29F400CTTC-70G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2009 | MX29F | e3 | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 48 | R-PDSO-G48 | 不合格 | 5V | 5V | 4Mb 512K x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 256KX16 | 16 | 70ns | 4 b | 0.000005A | 70 ns | 5V | 100000 Write/Erase Cycles | 8 | YES | YES | YES | 1217 | 16K8K32K64K | YES | TOP | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1049DV33-10VXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | 36 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 1996 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 36 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 245 | 1 | 3.3V | 10GHz | 40 | CY7C1049 | 36 | 3.3V | 3.6V | 3V | 4Mb 512K x 8 | 1 | 90mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 10ns | 19b | 4 Mb | COMMON | Asynchronous | 8b | 3V | YES | NO | 2.29mm | 23.62mm | 10.29mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PC28F00AP33BFA | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 64-TBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | Axcell™ | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 锡银铜 | 2.3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 30 | 28F00AP33 | 64 | 2.3V | Parallel, Serial | 1Gb 64M x 16 | 31mA | 52MHz | FLASH | Parallel | 16 | 95ns | 26b | 1 Gb | 95 ns | Asynchronous | 16b | 1.2mm | 10mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT28C256-15FM/883 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 23 Weeks | Military grade | Lead, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 28-CFlatPack | 28 | Non-Volatile | -55°C~125°C TC | Tube | 1997 | e0 | no | 活跃 | 3 (168 Hours) | 28 | 锡铅 | 自动写入 | 4.5V~5.5V | DUAL | 240 | 1 | 5V | 1.27mm | 150GHz | 30 | AT28C256 | 不合格 | 5V | 5V | Parallel, SPI | 256Kb 32K x 8 | 50mA | ASYNCHRONOUS | 150ns | EEPROM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 8 | 10ms | 256 kb | 0.0003A | MIL-STD-883 Class C | 5V | 10000 Write/Erase Cycles | 10ms | YES | YES | 64words | 3.02mm | 10.16mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1021CV33-12ZSXET | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 1996 | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 3.3V | 0.8mm | 12GHz | CY7C1021 | 3.3V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 90mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 12ns | 16b | 1 Mb | COMMON | Asynchronous | 16b | 3V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24AA044T-E/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Automotive grade | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2001 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 1.27mm | 40 | 24AA044 | 5.5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 4Kb 256 x 8 x 2 | 400μA | SYNCHRONOUS | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 4KX1 | 1 | 5ms | 4 kb | TS 16949 | I2C | 5ms | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M29W160EB70ZA6 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-TFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 48 | EAR99 | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 0.8mm | 70GHz | 未说明 | M29W160 | 48 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | ASYNCHRONOUS | 0.02mA | FLASH | Parallel | 16b | 1MX16 | 16 | 70ns | 0.0001A | 70 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 12131 | 16K8K32K64K | YES | BOTTOM | YES | 1.2mm | 8mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AS4C64M8D2-25BIN | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 60-TFBGA | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2014 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.8mm | 未说明 | R-PBGA-B60 | 1.9V | 1.7V | 512Mb 64M x 8 | 1 | SYNCHRONOUS | 400MHz | 400ps | DRAM | Parallel | 64MX8 | 8 | 15ns | 536870912 bit | 1.2mm | 10mm | 8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1268KV18-450BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | CY7C1268 | 165 | 1.8V | 36Mb 2M x 18 | 1 | 600mA | 450MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 20b | 36 Mb | 0.33A | COMMON | Synchronous | 18b | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43R16320F-5TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 66 | AUTO/SELF REFRESH | 2.3V~2.7V | DUAL | 未说明 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 未说明 | R-PDSO-G66 | 2.7V | 2.3V | 512Mb 32M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 200MHz | 700ps | DRAM | Parallel | 32MX16 | 16 | 15ns | 536870912 bit | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL256SAGBHI203 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 24-TBGA | 24 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 1mm | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 256Mb 32M x 8 | 75mA | 133MHz | 8 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX4 | 4 | 1b | 256 Mb | 0.0001A | Synchronous | 1b | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 500ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 1.2mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS5SP512K36DQ-40XT | Micross | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 30 Weeks | FLATPACK, LOW PROFILE | 3 | 512000 | PLASTIC/EPOXY | QFP100,.63X.87 | -55 °C | 未说明 | 4 ns | 125 °C | AS5SP512K36DQ-40XT | 133 MHz | 524288 words | 3.3 V | LQFP | RECTANGULAR | Micross Components | 活跃 | 微丝组件 | 5.6 | QFP | YES | 100 | LQFP, QFP100,.63X.87 | e3 | 有 | 3A001.A.2.C | 哑光锡 | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | SRAMs | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.65 mm | compliant | 100 | R-PQFP-G100 | 不合格 | 3.63 V | 2.5/3.3,3.3 V | MILITARY | 3.135 V | SYNCHRONOUS | 0.375 mA | 512KX36 | 3-STATE | 1.6 mm | 36 | 0.165 A | 18 | PARALLEL | COMMON | 缓存SRAM | 20 mm | 14 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M48Z02-200PC1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 24-DIP Module (0.600, 15.24mm) | 24 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 24 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | BATTERY BACK-UP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION | 8542.32.00.41 | 4.75V~5.5V | DUAL | 245 | 1 | 5V | 2.54mm | unknown | 200GHz | 未说明 | M48Z02 | 24 | 不合格 | 5V | 5V | 16Kb 2K x 8 | 1 | 80mA | ASYNCHRONOUS | NVSRAM | Parallel | 8b | 2KX8 | 3-STATE | 8 | 200ns | 16 kb | 0.003A | 200 ns | 8b | YES | 9.65mm | 34.545mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST38VF6401-90-5C-EKE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST38 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.7V~3.6V | DUAL | 0.5mm | SST38VF6401 | 3.3V | 64Mb 4M x 16 | 18mA | 90ns | FLASH | Parallel | 16b | 4MX16 | 16 | 10μs | 22b | 64 Mb | 0.00003A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 1K | 4K | 4words | YES | BOTTOM | YES | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 93LC46CT-E/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.65mm | 40 | 93LC46C | 8 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | Serial | 1Kb 128 x 8 64 x 16 | 2mA | 3MHz | 200 ns | EEPROM | SPI | 64X16 | 16 | 6ms | 1 kb | 0.000005A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 6ms | 200 | SOFTWARE | 8 | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1041CV33-20ZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2006 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | unknown | 20GHz | 20 | CY7C1041 | 44 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 4Mb 256K x 16 | 1 | 75mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 20ns | 18b | 4 Mb | 20 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 3V | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAT28F001G-12T | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2007 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | TOP BOOT BLOCK | 4.5V~5.5V | QUAD | 245 | 1 | 5V | 1.27mm | 40 | CAT28F001 | 32 | 不合格 | 5V | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 30mA | FLASH | Parallel | 8b | 128KX8 | 8 | 120ns | 17b | 1 Mb | 0.000001A | 120 ns | Asynchronous | 8b | 100000 Write/Erase Cycles | NO | NO | YES | 121 | 8K4K112K | TOP | 3.55mm | 13.97mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST26WF016B-104I/MF | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2013 | SST26 SQI® | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.65V~1.95V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 未说明 | SST26WF016 | 1.8V | 1.95V | 1.65V | SPI, Serial | 16Mb 2M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | 3 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 16MX1 | 1.5ms | 16 Mb | TS 16949 | 256B | 750μm | 6mm | 5mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS45S16160J-7TLA2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 54 | Volatile | -40°C~105°C TA | Tube | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | 3.6V | 3V | 256Mb 16M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16MX16 | 16 | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TH58NVG3S0HTA00 | Kioxia America, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.5mm | R-PDSO-G48 | 3.6V | 2.7V | 8Gb 1G x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 1GX8 | 8 | 25ns | 8589934592 bit | 3V | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | 符合RoHS标准 |