类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 螺距 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 无卤素 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 反向引脚排列 | 自我刷新 | 产品类别 | 组织的记忆 | 产品长度 | 产品宽度 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CY7C1041CV33-15ZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2006 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | 3A991.B.2.A | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 8542.32.00.41 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | unknown | 15GHz | 20 | CY7C1041 | 44 | R-PDSO-G44 | 不合格 | 3.6V | 3.3V | 3V | 4Mb 256K x 16 | 0.08mA | SRAM | Parallel | 256KX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 0.01A | 4194304 bit | 15 ns | COMMON | 3V | 1.194mm | 18.415mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 25AA020A-I/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2007 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | Matte Tin (Sn) | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 25AA020A | 8 | 5V | SPI, Serial | 2Kb 256 x 8 | 5mA | 10MHz | 50 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 2 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 850μm | 3mm | 3mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1568KV18-500BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | unknown | CY7C1568 | 165 | 不合格 | 1.8V | 72Mb 4M x 18 | 1 | 700mA | 500MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 21b | 72 Mb | 0.36A | COMMON | Synchronous | 18b | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS61LPS25636A-250TQLI | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMD/SMT | 有 | 0.288894 oz | LQFP, | FLATPACK, LOW PROFILE | 256000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 2.6 ns | 85 °C | 有 | IS61LPS25636A-250TQLI | 262144 words | 3.3 V | LQFP | RECTANGULAR | 活跃 | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC | 5.61 | TQFP-100 | YES | 100 | Details | IS61LPS25636A | e3 | Matte Tin (Sn) - annealed | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 1 | 0.65 mm | compliant | R-PQFP-G100 | 3.465 V | INDUSTRIAL | 3.165 V | SYNCHRONOUS | 256KX36 | 1.6 mm | 36 | 9437184 bit | PARALLEL | 缓存SRAM | 20 mm | 14 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR93LC46RFWE2 | Rohm | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS42S32400B-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width) | 86 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | Obsolete | 2 (1 Year) | 86 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 40 | 86 | 3.3V | 3.6V | 3V | 128Mb 4M x 32 | 1 | 130mA | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 32b | 4MX32 | 3-STATE | 32 | 14b | 128 Mb | 0.001A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 70T651S10BFG8 | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | Volatile | 70T651 | CABGA | 2.5000 V | 2.4 V | Asynchronous | 256 kWords | 72 Bit | 2.6 V | 表面贴装 | 有 | 1000 | 70T651 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Details | Commercial grade | SRAM | 表面贴装 | 208-LFBGA | 208-CABGA (15x15) | Renesas Electronics America Inc | 活跃 | 0°C ~ 70°C (TA) | Reel | - | Memory & Data Storage | 0.8000 | 2.4V ~ 2.6V | 208 | 9Mbit | 2 | 10 ns | SRAM | Parallel | 10ns | 36 Bit | 9 Mbit | Commercial | SRAM | 256K x 36 | 15 | 15 mm | 1.4 mm | 15 mm | 15 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M5M51008DFP-55HIBT | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | M5M51008D | Obsolete | Volatile | SOP, | 小概要 | 128000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 55 ns | 85 °C | 有 | M5M51008DFP-55HIBT | 131072 words | 5 V | SOP | RECTANGULAR | Renesas Electronics Corporation | Obsolete | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.35 | SOIC | 表面贴装 | 32-SOIC (0.450, 11.40mm Width) | YES | 32-SOP | 32 | Renesas Electronics America Inc | Tray | -40°C ~ 85°C (TA) | - | EAR99 | 8542.32.00.41 | SRAM | 4.5V ~ 5.5V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | compliant | 32 | R-PDSO-G32 | 不合格 | 5.5 V | INDUSTRIAL | 4.5 V | 1Mbit | ASYNCHRONOUS | 55 ns | SRAM | Parallel | 128KX8 | 3.05 mm | 8 | 55ns | 1048576 bit | PARALLEL | 标准SRAM | 128K x 8 | 20.75 mm | 11.4 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC58BVG1S3HBAI4 | Kioxia America, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 63-VFBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | Benand™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 63 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | BALL | 1 | 3.3V | 0.8mm | R-PBGA-B63 | 3.6V | 2.7V | 2Gb 256M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | 256MX8 | 8 | 25ns | 2147483648 bit | PARALLEL | 3.3V | 1mm | 11mm | 9mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS45S16400J-7BLA2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TFBGA | 54 | Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3.3V | 0.8mm | 54 | 3.3V | 3.6V | 3V | 64Mb 4M x 16 | 1 | 90mA | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 4MX16 | 3-STATE | 16 | 14b | 64 Mb | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | NO | YES | 1.2mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C026A-20AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1997 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 20GHz | 30 | CY7C026 | 100 | 5V | 5V | 256Kb 16K x 16 | 2 | 275mA | SRAM | Parallel | 16KX16 | 3-STATE | 16 | 20ns | 14b | 256 kb | 0.0015A | COMMON | Asynchronous | 16b | 1.6mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS43DR16320C-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 84-TFBGA | 84 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 84 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 512Mb 32M x 16 | 1 | 295mA | SYNCHRONOUS | 400MHz | 400ps | DRAM | Parallel | 16b | 32MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 13b | 512 Mb | 0.013A | COMMON | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 12.5mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C057V-12AC | Cypress Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FLATPACK, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE, FINE PITCH | 未说明 | 32000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 12 ns | 70 °C | 无 | CY7C057V-12AC | 32768 words | 3.3 V | HLFQFP | SQUARE | Rochester Electronics LLC | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.86 | QFP | YES | 144 | 20 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-144 | e0 | 无 | 锡铅 | AUTOMATIC POWER-DOWN | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 0.5 mm | unknown | 144 | S-PQFP-G144 | COMMERCIAL | 3.465 V | COMMERCIAL | 3.135 V | ASYNCHRONOUS | 32KX36 | 1.6 mm | 36 | 1179648 bit | PARALLEL | DUAL-PORT SRAM | 20 mm | 20 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAT25160HU4I-GT3 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | Industrial grade | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.8V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 0.5mm | 未说明 | CAT25160 | 8 | 5.5V | SPI, Serial | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 10MHz | 40 ns | EEPROM | SPI | 无卤素 | 8 | 5ms | 16 kb | SPI | 5ms | 0.55mm | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 25AA160DT-I/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 25AA160D | 8 | 5V | SPI, Serial | 16Kb 2K x 8 | 5mA | 10MHz | 160 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.1mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512S10DHA023 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 3.6V | 2.7V | 512Mb 32M x 16 | ASYNCHRONOUS | 100ns | FLASH | Parallel | 8 | 60ns | 536870912 bit | AEC-Q100 | 3V | 1.4mm | 9mm | 9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL256S11TFIV10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 56 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1.65V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 0.5mm | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 256Mb 16M x 16 | 60mA | 110ns | FLASH | Parallel | 16b | 32MX8 | 60ns | 24b | 256 Mb | 0.0001A | Asynchronous | 16b | 2.7V | YES | YES | YES | 256 | 64K | 32B | YES | YES | 1.05mm | 18.5mm | 14.1mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST39LF401C-55-4C-EKE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2011 | SST39 MPF™ | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | SST39LF401C | 48 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 4Mb 256K x 16 | 18mA | 55ns | FLASH | Parallel | 256KX16 | 10μs | 1b | 4 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | 2.7V | YES | YES | YES | 128 | 2K | YES | BOTTOM | YES | 1.05mm | 18.5mm | 12.2mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT28C256-15UM/883-815 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 23 Weeks | Military grade | 通孔 | 28-BCPGA | NO | Non-Volatile | -55°C~125°C TC | Tray | 1997 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 28 | 自动写入 | 4.5V~5.5V | PERPENDICULAR | 1 | 5V | 2.54mm | R-CPGA-P28 | 5.5V | 4.5V | 256Kb 32K x 8 | ASYNCHRONOUS | 150ns | EEPROM | Parallel | 32KX8 | 8 | 10ms | 262144 bit | MIL-STD-883 Class C | 5V | 10ms | 4.4mm | 16.51mm | 13.97mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT93C46-10PC | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8-PDIP | Non-Volatile | 0°C~70°C TC | Tube | 1999 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4.5V~5.5V | AT93C46 | 1Kb 128 x 8 64 x 16 | 2MHz | EEPROM | SPI | 10ms | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W25Q64JVSSIM | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2017 | SpiFlash® | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | S-PDSO-G8 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 8MX8 | 8 | 3ms | 67108864 bit | SERIAL | 3V | 2.16mm | 5.28mm | 5.28mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B116K-ZS25XI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2005 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | 3A991.B.2.B | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.41 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | 不合格 | 3V | 3.6V | 2.7V | 16Mb 2M x 8 | 95mA | ASYNCHRONOUS | NVSRAM | Parallel | 8b | 2MX8 | 8 | 25ns | 16 Mb | 0.00075A | 25 ns | 8b | 1.194mm | 18.415mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT25DF321A-SH-B | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 Weeks | Gold | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | YES | 8 | 540.001716mg | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tube | 1997 | e4 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 8 | 3A991.B.1.A | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 8 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | Serial | 32Mb 256Bytes x 16384 pages | 20mA | 20mA | 100MHz | 5 ns | FLASH | SPI | 8b | 8 | 7μs, 3ms | 1b | 32 Mb | 0.00001A | Synchronous | 8b | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 2.16mm | 5.29mm | 无 | Unknown | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST39SF020A-55-4C-NHE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST39 MPF™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | 4.5V~5.5V | QUAD | 5V | 1.27mm | SST39SF020A | 5V | 5V | 2Mb 256K x 8 | 25mA | 55ns | FLASH | Parallel | 8b | 256KX8 | 8 | 20μs | 18b | 2 Mb | 0.0001A | Asynchronous | 8b | YES | YES | YES | 64 | 4K | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT49F4096A-70TC | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48-TSOP | Non-Volatile | 0°C~70°C TC | Tray | 2000 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | 4.5V~5.5V | 70GHz | AT49F4096 | Parallel | 4Mb 512K x 8 256K x 16 | 70ns | FLASH | Parallel | 50μs | Non-RoHS Compliant | 含铅 |