
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Non-Compliant
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
SMALL OUTLINE
PLASTIC/EPOXY
150 °C
Yes
ZVN4310G
RECTANGULAR
Diodes Incorporated
1
Active
DIODES INC
5.12
SOT-223
1.67 A
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET General Purpose Power
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.67 A
漏极-源极导通最大电阻
0.54 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3 W