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YJQ2012A

型号:

YJQ2012A

封装:

-

描述:

Power Field-Effect Transistor,

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Yes

  • Active

  • YANGZHOU YANGJIE ELECTRONICS CO LTD

  • ,

  • Date Of Intro

    2020-09-24

  • 12 A

  • 1

  • 150 °C

  • -55 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • SQUARE

  • SMALL OUTLINE

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    NO LEAD

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N6

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.013 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    50 A

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    2.5 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    140 pF

  • 环境耗散-最大值

    2.5 W

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  • 数据表 :