![ISD33120S](https://static.esinoelec.com/200image/c85f4f02decb1531cfe4358da00f4368.jpg)
ISD33120S
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Speech Synthesizer With RCDG, 124.5s, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
28
No
Obsolete
WINBOND ELECTRONICS CORP
SOIC
0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28
70 °C
PLASTIC/EPOXY
SOP
SOP28,.4
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE
JESD-609代码
e0
端子表面处理
TIN LEAD
HTS代码
8542.39.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
电源电流-最大值
40 mA
座位高度-最大
2.65 mm
消费者集成电路类型
SPEECH SYNTHESIZER WITH RCDG
阅读时间-最大
124.5 s
片上存储器类型
EEPROM
长度
17.9 mm
宽度
7.5 mm