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W987D6HBGX6E
54-TFBGA
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
54-TFBGA
表面安装
YES
Volatile
操作温度
-25°C~85°C TC
包装
Tray
已出版
2011
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
JESD-30代码
R-PBGA-B54
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源
1.8V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
128Mb 8M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
166MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.00001A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
4096
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
9mm
座位高度(最大)
1.025mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseMemory TypeAccess TimeSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)Terminal PitchMemory FormatTerminal Position
-
W987D6HBGX6E
54-TFBGA
Volatile
5.4ns
1.8 V
3 (168 Hours)
0.8 mm
DRAM
BOTTOM
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Volatile
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)
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3 (168 Hours)
0.8 mm
DRAM
BOTTOM
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54-TFBGA
Volatile
5.4ns
3.3 V
3 (168 Hours)
0.8 mm
DRAM
BOTTOM
W987D6HBGX6E PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN封装 :