规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247-3
厂商
WeEn Semiconductors
Tube
Active
91 A
400V, 50A, 10Ohm, 15V
WG50N65D
- 20 V, + 20 V
278 W
+ 150 C
- 55 C
600
Through Hole
934072776127
WeEn Semiconductors
WeEn Semiconductors
Details
650 V
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
278
输入类型
Standard
功率 - 最大
278 W
产品类别
IGBT Transistors
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V, 50A
连续集电极电流
91
IGBT类型
Trench Field Stop
闸门收费
160 nC
集极脉冲电流（Icm）
200 A
Td（开/关）@25°C
66ns/163ns
开关能量
1.7mJ (on), 600μJ (off)
反向恢复时间(trr)
105 ns
产品类别
IGBT Transistors