![BYQ28ED-200,118](https://static.esinoelec.com/200dimg/weensemiconductors-bt151s650r118-9452.jpg)
BYQ28ED-200,118
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DIODE ARRAY GP 200V 10A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
2
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
ULTRA FAST SOFT RECOVERY
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BYQ28ED-200
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G2
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25V @ 10A
正向电流
10A
工作温度 - 结点
150°C Max
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
200V
相位的数量
1
反向恢复时间
25ns
Rep Pk反向电压-最大值
200V
JEDEC-95代码
TO-252AA
二极管配置
1 Pair Common Cathode
反向电流-最大值
10μA
RoHS状态
RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseReverse Recovery TimeDiode TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Number of TerminationsSpeedNumber of PhasesDiode Element Material
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BYQ28ED-200,118
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
25ns
Standard
1 (Unlimited)
2
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
1
SILICON
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
25 ns
Standard
1 (Unlimited)
2
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
1
SILICON
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
25 ns
Standard
1 (Unlimited)
2
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
1
SILICON
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
25 ns
Standard
1 (Unlimited)
2
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
1
SILICON
-
TO-220-2 Full Pack
28 ns
Standard
1 (Unlimited)
2
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
1
SILICON
BYQ28ED-200,118 PDF数据手册
- PCN封装 :
- PCN 其他 :
- PCN 零件状态更改 :