![VS-MBR2045CTPBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs10tts08m3-0102.jpg)
VS-MBR2045CTPBF
TO-220-3
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 45 Volt Common Cathode
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
2
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
应用
GENERAL PURPOSE
附加功能
FREE WHEELING DIODE
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
SINGLE
基本部件号
MBR2045CT
元素配置
Common Cathode
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 45V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
570mV @ 10A
正向电流
20A
最大反向漏电电流
100μA
工作温度 - 结点
-65°C~150°C
最大浪涌电流
1.06kA
正向电压
840mV
最大反向电压(DC)
45V
平均整流电流
10A
相位的数量
1
峰值反向电流
100μA
最大重复反向电压(Vrrm)
45V
JEDEC-95代码
TO-220AB
峰值非恢复性浪涌电流
1.06kA
二极管配置
1 Pair Common Cathode
最大正向浪涌电流(Ifsm)
1.06kA
高度
9.02mm
长度
10.66mm
宽度
4.82mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseForward VoltageAverage Rectified CurrentMax Reverse Leakage CurrentMoisture Sensitivity Level (MSL)Number of PinsDiode Element Material
-
VS-MBR2045CTPBF
Through Hole
TO-220-3
840 mV
10 A
100 μA
1 (Unlimited)
3
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3
840 mV
7.5 A
100 μA
1 (Unlimited)
3
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3
840 mV
12.5 A
125 μA
1 (Unlimited)
3
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3
840 mV
10 A
100 μA
1 (Unlimited)
3
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3
840 mV
7.5 A
100 μA
1 (Unlimited)
3
SILICON
VS-MBR2045CTPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :