VF30100SG-E3/4W
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
DIODE, SCHOTTKY, 30A, 100V, ITO-220AB-3; Diode Type: Schottky; Diode Configuratio
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
1
包装
Tube
系列
TMBS®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
应用
EFFICIENCY
附加功能
FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
SINGLE
基本部件号
VF30100S
引脚数量
3
元素配置
Common Anode
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
350μA @ 100V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1V @ 30A
正向电流
30A
最大反向漏电电流
350μA
工作温度 - 结点
-40°C~150°C
最大浪涌电流
250A
正向电压
1V
最大反向电压(DC)
100V
平均整流电流
30A
相位的数量
1
峰值反向电流
350μA
最大重复反向电压(Vrrm)
100V
JEDEC-95代码
TO-220AB
峰值非恢复性浪涌电流
250A
高度
15.24mm
长度
10.26mm
宽度
4.83mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseForward VoltageAverage Rectified CurrentMax Reverse Leakage CurrentRadiation HardeningHTS CodeDiode Element Material
-
VF30100SG-E3/4W
Through Hole
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
1 V
30 A
350 μA
No
8541.10.00.80
SILICON
-
Through Hole
TO-220-2 Full Pack
1.15 V
30 A
-
No
8541.10.00.80
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
1 V
10 A
-
No
8541.10.00.80
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
910 mV
30 A
350 μA
No
8541.10.00.80
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
1.07 V
20 A
350 μA
No
8541.10.00.80
SILICON
VF30100SG-E3/4W PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :