VBT2045BP-E3/4W
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Semiconductor; Rectifier; Trench MOS Barrier Schottky; Single; 45V; 20A; TO-263AB
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount, Through Hole
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
1
包装
Tube
系列
TMBS®
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
应用
EFFICIENCY
附加功能
LOW POWER LOSS
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
基本部件号
VBT2045
引脚数量
3
元素配置
Common Anode
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
2mA @ 45V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
660mV @ 20A
箱体转运
CATHODE
正向电流
20A
最大反向漏电电流
2mA
工作温度 - 结点
200°C Max
最大浪涌电流
100A
平均整流电流（Io）
20A DC
正向电压
660mV
最大反向电压（DC）
45V
平均整流电流
20A
相位的数量
1
峰值反向电流
2mA
最大重复反向电压(Vrrm)
45V
峰值非恢复性浪涌电流
160A
最大正向浪涌电流（Ifsm）
160A
高度
9.144mm
长度
10.4394mm
宽度
4.826mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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